DS18B20的内部结构
DS18B20内部结构主要由四部分组成：64位光刻ROM、温度传感器、非挥发的温度报警触发器TH和TL、配置寄存器。DS18B20的管脚排列如下:
DQ为数字信号输入/输出端；GND为电源地；VDD为外接供电电源输入端（在寄生电源接线方式时接地）。
光刻ROM中的64位序列号是出厂前被光刻好的，它可以看作是该DS18B20的地址序列码。64位光刻ROM的排列是：开始8位（28H）是产品类型标号，接着的48位是该DS18B20自身的序列号，最后8位是前面56位的循环冗余校验码（CRC=X8+X5+X4+1）。光刻ROM的作用是使每一个DS18B20都各不相同，这样就可以实现一根总线上挂接多个DS18B20的目的。
DS18B20中的温度传感器可完成对温度的测量，以12位转化为例:用16位符号扩展的二进制补码读数形式提供，以0.0625℃/LSB形式表达，其中S为符号位。
这是12位转化后得到的12位数据，存储在18B20的两个8比特的RAM中，二进制中的前面5位是符号位，如果测得的温度大于0，这5位为0，只要将测到的数值乘于0.0625即可得到实际温度；如果温度小于0，这5位为1，测到的数值需要取反加1再乘于0.0625即可得到实际温度。
例如+125℃的数字输出为07D0H，+25.0625℃的数字输出为0191H，-25.0625℃的数字输出为FF6FH，-55℃的数字输出为FC90H。
DS18B20温度传感器的存储器
DS18B20温度传感器的内部存储器包括一个高速暂存RAM和一个非易失性的可电擦除的E2RAM,后者存放高温度和低温度触发器TH、TL和结构寄存器。
暂存存储器包含了8个连续字节，前两个字节是测得的温度信息，第一个字节的内容是温度的低八位，第二个字节是温度的高八位。第三个和第四个字节是TH、TL的易失性拷贝，第五个字节是结构寄存器的易失性拷贝，这三个字节的内容在每一次上电复位时被刷新。第六、七、八个字节用于内部计算。第九个字节是冗余检验字节。
该字节各位的意义如下：
TM R1 R0 1 1 1 1 1
低五位一直都是1 ，TM是测试模式位，用于设置DS18B20在工作模式还是在测试模式。在DS18B20出厂时该位被设置为0，用户不要去改动。R1和R0用来设置分辨率，如下表所示：（DS18B20出厂时被设置为12位）
分辨率设置表:
R1 | R0 | 分辨率 | 温度最大转换时间 |
0 | 0 | 9位 | 93.75ms |
0 | 1 | 10位 | 187.5ms |
1 | 0 | 11位 | 375ms |
1 | 1 | 12位 | 750ms |
根据DS18B20的通讯协议，主机控制DS18B20完成温度转换必须经过三个步骤：每一次读写之前都要对DS18B20进行复位，复位成功后发送一条ROM指令，最后发送RAM指令，这样才能对DS18B20进行预定的操作。复位要求主CPU将数据线下拉500微秒，然后释放，DS18B20收到信号后等待16～60微秒左右，后发出60～240微秒的存在低脉冲，主CPU收到此信号表示复位成功。
DS1820使用中注意事项
DS1820虽然具有测温系统简单、测温精度高、连接方便、占用口线少等优点，但在实际应用中也应注意以下几方面的问题：
(1)较小的硬件开销需要相对复杂的软件进行补偿，由于DS1820与微处理器间采用串行数据传送，因此，在对DS1820进行读写编程时，必须严格的保证读写时序，否则将无法读取测温结果。在使用PL/M、C等高级语言进行系统程序设计时，对DS1820操作部分最好采用汇编语言实现。
(2)在DS1820的有关资料中均未提及单总线上所挂DS1820数量问题，容易使人误认为可以挂任意多个DS1820，在实际应用中并非如此。当单总线上所挂DS1820超过8个时，就需要解决微处理器的总线驱动问题，这一点在进行多点测温系统设计时要加以注意。
(3)连接DS1820的总线电缆是有长度限制的。试验中，当采用普通信号电缆传输长度超过50m时，读取的测温数据将发生错误。当将总线电缆改为双绞线带屏蔽电缆时，正常通讯距离可达150m，当采用每米绞合次数更多的双绞线带屏蔽电缆时，正常通讯距离进一步加长。这种情况主要是由总线分布电容使信号波形产生畸变造成的。因此，在用DS1820进行长距离测温系统设计时要充分考虑总线分布电容和阻抗匹配问题。
(4)在DS1820测温程序设计中，向DS1820发出温度转换命令后，程序总要等待DS1820的返回信号，一旦某个DS1820接触不好或断线，当程序读该DS1820时，将没有返回信号，程序进入死循环。这一点在进行DS1820硬件连接和软件设计时也要给予一定的重视。
测温电缆线建议采用屏蔽4芯双绞线，其中一对线接地线与信号线，另一组接VCC和地线，屏蔽层在源端单点接地。
软件如下：
;这是关于DS18B20的读写程序,数据脚P2.2,晶振12MHZ
;温度传感器18B20汇编程序,采用器件默认的12位转化,最大转化时间750微秒
;可以将检测到的温度直接显示到启点开发板板的两个数码管上
;显示温度00到99度,很准确哦~~无需校正!
ORG 0000H
;单片机内存分配申明!
TEMPER_L EQU 29H;用于保存读出温度的低8位
TEMPER_H EQU 28H;用于保存读出温度的高8位
FLAG1 EQU 38H;是否检测到DS18B20标志位
a_bit equ 20h ;数码管个位数存放内存位置
b_bit equ 21h ;数码管十位数存放内存位置
MAIN:
LCALL GET_TEMPER;调用读温度子程序
;进行温度显示,这里我们考虑用网站提供的两位数码管来显示温度
;显示范围00到99度,显示精度为1度
;因为12位转化时每一位的精度为0.0625度,我们不要求显示小数所以可以抛弃29H的低4位
;将28H中的低4位移入29H中的高4位,这样获得一个新字节,这个字节就是实际测量获得的温度
;这个转化温度的方法可是我想出来的哦~~非常简洁无需乘于0.0625系数
MOV A,29H
MOV C,40H;将28H中的最低位移入C
RRC A
MOV C,41H
RRC A
MOV C,42H
RRC A
MOV C,43H
RRC A
MOV 29H,A
LCALL DISPLAY;调用数码管显示子程序
CPL P1.0
AJMP MAIN
; 这是DS18B20复位初始化子程序
INIT_1820:
SETB P2.2
NOP
CLR P2.2
;主机发出延时537微秒的复位低脉冲
MOV R1,#3
TSR1:MOV R0,#107
DJNZ R0,$
DJNZ R1,TSR1
SETB P2.2;然后拉高数据线
NOP
NOP
NOP
MOV R0,#25H
TSR2:
JNB P2.2,TSR3;等待DS18B20回应
DJNZ R0,TSR2
LJMP TSR4 ; 延时
TSR3:
SETB FLAG1 ; 置标志位,表示DS1820存在
CLR P1.7;检查到DS18B20就点亮P1.7LED
LJMP TSR5
TSR4:
CLR FLAG1 ; 清标志位,表示DS1820不存在
CLR P1.1
LJMP TSR7
TSR5:
MOV R0,#117
TSR6:
DJNZ R0,TSR6 ; 时序要求延时一段时间
TSR7:
SETB P2.2
RET
; 读出转换后的温度值
GET_TEMPER:
SETB P2.2
LCALL INIT_1820;先复位DS18B20
JB FLAG1,TSS2
CLR P1.2
RET ; 判断DS1820是否存在?若DS18B20不存在则返回
TSS2:
CLR P1.3;DS18B20已经被检测到!!!!!!!!!!!!!!!!!!
MOV A,#0CCH ; 跳过ROM匹配
LCALL WRITE_1820
MOV A,#44H ; 发出温度转换命令
LCALL WRITE_1820
;这里通过调用显示子程序实现延时一段时间,等待AD转换结束,12位的话750微秒
LCALL DISPLAY
LCALL INIT_1820;准备读温度前先复位
MOV A,#0CCH ; 跳过ROM匹配
LCALL WRITE_1820
MOV A,#0BEH ; 发出读温度命令
LCALL WRITE_1820
LCALL READ_18200; 将读出的温度数据保存到35H/36H
CLR P1.4
RET
;写DS18B20的子程序(有具体的时序要求)
WRITE_1820:
MOV R2,#8;一共8位数据
CLR C
WR1:
CLR P2.2
MOV R3,#6
DJNZ R3,$
RRC A
MOV P2.2,C
MOV R3,#23
DJNZ R3,$
SETB P2.2
NOP
DJNZ R2,WR1
SETB P2.2
RET
; 读DS18B20的程序,从DS18B20中读出两个字节的温度数据
READ_18200:
MOV R4,#2 ; 将温度高位和低位从DS18B20中读出
MOV R1,#29H ; 低位存入29H(TEMPER_L),高位存入28H(TEMPER_H)
RE00:
MOV R2,#8;数据一共有8位
RE01:
CLR C
SETB P2.2
NOP
NOP
CLR P2.2
NOP
NOP
NOP
SETB P2.2
MOV R3,#9
RE10:
DJNZ R3,RE10
MOV C,P2.2
MOV R3,#23
RE20:
DJNZ R3,RE20
RRC A
DJNZ R2,RE01
MOV @R1,A
DEC R1
DJNZ R4,RE00
RET
;显示子程序
display: mov a,29H;将29H中的十六进制数转换成10进制
mov b,#10 ;10进制/10=10进制
div ab
mov b_bit,a ;十位在a
mov a_bit,b ;个位在b
mov dptr,#numtab ;指定查表启始地址
mov r0,#4
dpl1: mov r1,#250 ;显示1000次
dplop: mov a,a_bit ;取个位数
MOVC A,@A+DPTR ;查个位数的7段代码
mov p0,a ;送出个位的7段代码
clr p2.7 ;开个位显示
acall d1ms ;显示1ms
setb p2.7
mov a,b_bit ;取十位数
MOVC A,@A+DPTR ;查十位数的7段代码
mov p0,a ;送出十位的7段代码
clr p2.6 ;开十位显示
acall d1ms ;显示1ms
setb p2.6
djnz r1,dplop ;100次没完循环
djnz r0,dpl1 ;4个100次没完循环
ret
;1MS延时(按12MHZ算)
D1MS: MOV R7,#80
DJNZ R7,$
RET
;实验板上的7段数码管0～9数字的共阴显示代码
numtab: DB 3fh,30h,6dh,79h,72h,5bh,5fh,31h,7fh,7bh
end
以下为C语言版:
#include
sbit warmer=P1^4;
sbit led_run=P1^0;
sbit k_power=P3^3;
sbit ge=P2^7;
sbit shi=P2^6;
sbit DQ =P2^2; //定义通信端口
//延时函数
unsigned char tab[]={ 0x3f,0x30,0x6d,0x79,0x72,0x5b,0x5f,0x31,0x7f,0x7b,0x40};
//0, 1, 2 3 4 5 6 7 8 9
void delay(unsigned int i)
{
while(i--);
}
//初始化函数
Init_DS18B20(void)
{
unsigned char x=0;
DQ = 1; //DQ复位
delay(8); //稍做延时
DQ = 0; //单片机将DQ拉低
delay(80); //精确延时 大于 480us
DQ = 1; //拉高总线
delay(14);
x=DQ; //稍做延时后 如果x=0则初始化成功 x=1则初始化失败
delay(20);
}
//读一个字节
ReadOneChar(void)
{
unsigned char i=0;
unsigned char dat = 0;
for (i=8;i>0;i--)
{
DQ = 0; // 给脉冲信号
dat>>=1;
DQ = 1; // 给脉冲信号
if(DQ)
dat=0x80;
delay(4);
}
return(dat);
}
//写一个字节
WriteOneChar(unsigned char dat)
{
unsigned char i=0;
for (i=8; i>0; i--)
{
DQ = 0;
DQ = dat&0x01;
delay(5);
DQ = 1;
dat>>=1;
}
delay(4);
}
//读取温度
ReadTemperature(void)
{
unsigned char a=0;
unsigned char b=0;
unsigned char t=0;
Init_DS18B20();
WriteOneChar(0xCC); // 跳过读序号列号的操作
WriteOneChar(0x44); // 启动温度转换
Init_DS18B20();
WriteOneChar(0xCC); //跳过读序号列号的操作
WriteOneChar(0xBE); //读取温度寄存器等（共可读9个寄存器） 前两个就是温度
a=ReadOneChar(); //读取温度值低位
b=ReadOneChar(); //读取温度值高位
a=a>>4; //低位右移4位，舍弃小数部分
t=b<<4; //高位左移4位，舍弃符号位
t=ta;
return(t);
}
void display_tempmain(unsigned char i) //主程序温度显示函数
{
P0=tab[i/10];
shi=0;
ge=1;
delay(1000);
P0=tab[i%10];
shi=1;
ge=0;
}
void main(void)
{unsigned int temp;
while(1) //主循环
{ temp=ReadTemperature();
display_tempmain(temp);
}
}
