●技术创新
引领Power RFLDMOS发展路线图
2-Tone PEP(W)，IMD3@-30dBc
飞思卡尔的功率RF LDMOS的发展宏图
1994年，摩托罗拉半导体(现为飞思卡尔半导体)率先推出LDMOS技术，在功率RF领域处
于领先地位。
例如,飞思卡尔新型的LDMOS平台在标准的LDMOS设备上结合高性能的CMOS和集成无源元件，实现RF功率放大器设计。
作为RFLDMOS的先驱，飞思卡尔取得众多成绩，包括：
-第一家在LDMOS技术上开发射频功率晶体管的公司
-第一家在陶器和塑料包装中实施行业标准的公司
-第一家在射频设备上安装静电释放保护的公司
-第一家提供支持几百年“平均故障间隔时间”射频产品的公司。
-第一家为经济高效的塑料包装提供2GHz离散射频功率晶体管，能够承受最高达200℃的操作接合温度。
第6代RF LDMOS功率晶体管
为了拓展其在无线基础架构RF技术的领导和创新地位，飞思卡尔半导体在其LDMOS产品线中增加了第6代RF(横向扩散金属氧化物半导体)功率晶体管，用于2.5G和3G无线基础架构应用。本系列包括高性能、高功率陶瓷设备和经济高效的2GHz塑料射频晶体管，可以适应最高200℃的内核温度。
飞思卡尔广泛的RFLDMOS晶体管系列产品使无线基础架构的设计者能经济高效地开发出高性能的蜂窝基站放大器，支持GSM、EDGE、CDMA和W-CDMA技术。作为LDMOS技术的领导者，飞思卡尔设计出射频功率晶体管，为无线基础架构应用提供所需的高功率密度、卓越的射频性能、高质量和高可靠性，以及设备连续性和高效率。
无线基础架构设备生产商可以继续灵活地从同一个可靠的大量半导体供应商处选择高电压的陶瓷或塑料射频晶体管。飞思卡尔的第6代LDMOS陶瓷系列最初包括MRF6S19100H／S、MRF6S19140H／S、MRF6S21100H／S和MRF6S21140H／S设备。它的第6代LDMOS塑料产品系列具有可靠、强大、经济的特点，是陶瓷产品的替换品。塑料产品系列最初包括MRF6S19060N／NB、MRF6S19100N／NB、MRF6S21060N／NB和MRF6S21100N／NB设备。
飞思卡尔为射频设计者提供全面的模型库和仿真工具，在计算机辅助设计环境中全面帮助识别射频产品。该模型和仿真功能可以缩短设计和面市的时间。
●使用方便、周期短
如果您有一项任务要做，并且希望凭借某些元件更快地完成任务，飞思卡尔RF解决方案就能帮您实现：
-无与伦比的集成程度；
-高终端阻抗
-业内最全面的工具箱
-全球支持团队
可测量的性能优势和设备的统一性
飞思卡尔在无线基础架构功率RF领域居于首位的原因在于：我们提供明显高于竞争对手的性能，在大多数情况下，我们的产品性能高出15—30％。例如，飞思卡尔的RF可以随时扩展到更高功率，提供高于竞争对手产品2倍的MTBF(平均故障间隔时间)，并且我们的增益和线性值通常比最新的其他资源高出3dB。
至于设备的统一性，飞思卡尔坚持严格的生产流程，实现更好的质量，并根据不同应用进行不同的测试，且设备具有静电放电(ESD)保护。
安全的动态供应
需要时，如果您的部件是安全可用的，则说明技术和应用创新在起作用。我们的跟踪记录用事实证明：我们具有高达96％的准时交付能力。
在设计流程方面，我们为您准备有随时可用的样本。在生产方面，我们至少保持6个月的冻结存货，以支持向上覆盖，并有多个后端组装站点。我们还提供有余的全球生产和存货系统，具有最高水平的流程控制。
●性能出众的产品
全新的LDMOS将高性能CMOS、集成无源设备与标准LDMOS集成在一起，以支持射频功率放大器的设计。
创新封装使其与众不同
功率RF的领先者，飞思卡尔继续进行封装创并不断创建新标准。
塑料封装的优势
-全自动设备—组装，保持性能一致；
-可重新使用的版本缩短放大器生产周期：
-所有外观尺寸的机械误差为50微米，提高一致性和放大器封装效果；
-30年汽车行业的应用经验，极高的可靠性：
-提供用户最友好的应用：安装方便，可重复使用的版本，拾取放置方便；
-系统成本更低：符合客户降低价格和用量规划方面的需求；
-大功率塑料分立式设备-不仅性能优良且节约成本；
-可生产性，一致性，标准化。
传统的陶瓷封装
-热阻更低的散热片
-阻抗更高，与LTCC／HTCC匹配
-功率更高：大于200W
-金含量低的可软焊漆
-成本更低的结构体系
-自动化的高容量组装／测试
-多个生产厂
广泛的RF产品组合
飞思卡尔提供广泛的RF产品组合，为无线基础架构市场服务。其RF解决方案在当前和未来RF技术领域居于领先地位，是正在开发创新产品的开发人员的理想之选，能满足客户无线连接的需求。飞思卡尔是RF技术的先驱，并在未来继续进行技术创新，提供显著高于竞争对手的产品性能…多数情况下，高出15-30％。
