虽然，光刻和刻蚀是两个不同的加工工艺，但因为这两个工艺只有连续进行，才能完成真正意义上的图形转移。在工艺线上，这两个工艺是放在同一工序，因此，有时也将这两个工艺步骤统称为光刻。
湿法刻蚀：利用液态化学试剂或溶液通过化学反应进行刻蚀的方法。
干法刻蚀：主要指利用低压放电产生的等离子体中的离子或游离基(处于激发态的分子、原子及各种原子基团等)与材料发生化学反应或通过轰击等物理作用而达到刻蚀的目的。

湿法刻蚀是将刻蚀材料浸泡在腐蚀液内进行腐蚀的技术。它是一种纯化学刻蚀，具有优良的选择性，它刻蚀完当前薄膜就会停止，而不会损坏下面一层其他材料的薄膜。在硅片表面清洗及图形转换中，湿法刻蚀一直沿用至20世纪70年代中期，即一直到特征尺寸开始接近膜厚时。因为所有的半导体湿法刻蚀都具有各向同性，所以无论是氧化层还是金属层的刻蚀，横向刻蚀的宽度都接近于垂直刻蚀的深度。此外，湿法刻蚀还受更换槽内腐蚀液而必须停机的影响。
目前，湿法工艺一般被用于工艺流程前面的硅片准备阶段和清洗阶段。而在图形转换
中，干法刻蚀已占据主导地位。