英特尔近日宣布，准备推出128-Mbit相变内存(phase-change memory)样片，今年下半年将采用90纳米技术进行批量生产。 
    这种称为Alverstone的产品是Intel的第一种相变内存产品，是与NOR兼容的替代产品。目前英特尔是仅次于Spansion公司的第二大NOR闪存制造公司。英特尔公司首席技术官Justin Rattner表示，该产品比目前的NOR闪存的写入性能高5倍，至少可写入一百万次。 
    作为替代DRAM和闪存的下一代内存产品，相变内存也有许多竞争对手，如FeRAM和MRAM。这种非易失性内存技术基于硫族化物(chalcogenide)的电导(electrically induced)相变，非常难达到可靠的量产阶段。 
   Rattner指出，英特尔将128-Mbit相变内存的目标定位为替代NOR闪存。Intel将继续优化相变内存的量产工艺。 
    去年夏季英特尔开始与STMicroelectronics NV一期开发相变内存，而STMicro将采用45纳米工艺技术。