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  • CCIDconsulting:两问Intel大连投资案
    http://www.ic72.com 发布时间:2007/4/20 8:41:00

    要说是下国内半导体业界最热门的话题,莫过于Intel大手笔投资大连兴建芯片生产厂这件事了。而整个事件的过程也可谓一波三折,先是3月14日国家发改委网站发布消息说已批准Intel大连投资项目,正当人们纷纷开始关注的时候,这条消息又被发改委从其网站上撤下了,而Intel则对这一事件讳莫如深。正当人们对这条消息的准确性开始产生怀疑的时候,情况却发生了一个180度的大转变,Intel和大连市政府共同宣布3月26日在人民大会党举行新闻发布会,正式宣布Intel 25亿美元投资大连,建设12英寸90纳米芯片生产线。生产线将于2010年正式投产,其产品为与CPU配套的芯片组。至此,整个事件似乎已经尘埃落地,各方纷纷将关注点转到了这件事对Intel竞争对手的影响、对国内计算机芯片市场的影响,乃至对整个中国半导体产业的影响与意义上。而对于投资案本身,似乎已经被人们所遗忘。

    但是,作为分析真个事件的基础,我们还是不禁要问几个为什么,为什么是12英寸90纳米?为什么是2010年?

     

    大连工厂(Intel内部编号FAB68)将是英特尔在全球投资建设的第八家300毫米(12英寸)芯片工厂,其余7座芯片工厂5座在美国,一座在爱尔兰、一座在以色列。这七座芯片厂的技术水平及投产时间情况如表一。

     

    表1  Intel12英寸芯片工厂分布情况

    工厂

    所在国

    所在地

    晶圆尺寸

    技术水平

    投产时间

    D1C

    美国

    俄勒冈州

    12

    90纳米

    2002年底

    FAB11x

    美国

    新墨西哥州

    12

    90纳米

    2003.6

    D1D

    美国

    俄勒冈州

    12

    65纳米

    2004.9

    FAB12

    美国

    亚利桑那州

    12

    65纳米

    2005.10

    FAB24

    爱尔兰

    LEIXLIP

    12

    65纳米

    2006.3

    FAB32

    美国

    亚利桑那州

    12

    45纳米

    2007.8

    FAB28

    以色列

    KIRYAT GAT

    12

    45纳米

    2008.3

    FAB68

    中国

    大连

    12

    90纳米

    2010

     

    从这张表我们可以看到,Intel首座12英寸芯片厂FAB DIC早在2002年底即已建成投产,技术水平为90纳米,之后每年建成投产一条12英寸生产线,技术水平则逐年提升,到目前正在建设中并预计2007年8月和2008年3月投产的FAB32和FAB28,已经采用45纳米工艺技术,同时俄勒冈州的FAB DID和新墨西哥州的FAB11X也在进行45纳米改造。预计2008下半年改造完成。那么Intel为什么要在现在重新建设一条90纳米生产线呢?这与它历年来建设生产线的整体安排大相径庭。况且全球所有芯片生产线的建设周期一般都是18个月,为什么Intel大连生产线的建设需要36个月?毕竟这是一条比目前世界领先技术要落后两代的生产线,建设难度并不是那么大。

    再从技术演进方面看,多年来半导体产业一直遵循著名的“摩尔定律”向前发展,其中Intel是最典型的企业。下表是Intel发布的企业技术路线图。

     

    表2  Intel技术路线图

    Intel技术路线图

    制程名称

    P1262

    P1264

    P1266

    P1268

    P1270

    技术水平

    90 mm

    65 mm

    45 mm

    32 mm

    22mm

    首批生产

    2003

    2005

    2007

    2009

    2011

     

    从这张图我们看一看出,到2009年,Intel的技术水平将迈上32纳米,首批32纳米的CPU产品也将随之上市。考虑到主流技术产品的批量上市一般延后首批生产一年左右的时间,也即到2010年,正是32纳米CPU批量上市的时间。与CPU相应配套的芯片组,其技术一般仅较CPU产品低一个技术节点,即65纳米CPU产品需要90纳米芯片组与之配套,45纳米CPU需要65纳米芯片与之配套,以此类推。那么到2010年,32纳米CPU产品批量上市时,与之配套的芯片组也需要45纳米的技术来生产,很难想象届时90纳米的芯片组还能有多大的市场配套空间。

    根据以上判断,我们更加难以理解Intel为什么要花费25亿美元的巨资去新建这样一条匪夷所思的生产线,毕竟Intel的钱也不是大水冲来的,没有必要为了取悦中国政府而花费这么大的代价。

    说到这里我们联想到一则不起眼到几乎被人们所忽略的新闻:“据国外媒体报道,英特尔公司于2月27日发表声明称,该公司计划投资10亿至15亿美元用于改造升级该公司位于美国新墨西哥州的工厂,该厂将从2008下半年开始生产采用45纳米制程的芯片产品。这家即将进行升级改造的工厂位于美国新墨西哥州里奥兰珠市,是业内通常所说的FAB 11X,该厂将成为英特尔第四家采用45纳米生产工艺的工厂,目前这家工厂主要生产90纳米处理器和芯片组。”

    这条新闻之所以引起我们的关注,在于两个关键词:“2月27日”,“90纳米处理器和芯片组”。实在是非常巧合,2月27日Intel在美国宣布改造生产线,紧接着3月14日中国批准其新建生产线,其产品又恰恰都是90纳米的芯片组。

    所谓“改造”,就是淘汰旧设备,再花10亿到15亿美元采购新的更先进的设备。那么淘汰下来的设备如何处理呢?只有两种途径:搬去别的工厂或者卖掉。Intel亚利桑那州的FAB 12厂当初改造时就是如此,该厂原为8英寸芯片厂,工厂于2004年关闭进行12英寸65纳米改造,2006年重新启用。原来的8英寸设备全部以二手设备的形式出售。整个改造过程耗资20亿美元。

    那么对于FAB 11X改造中产生的旧设备,INTEL应该如何处理?卖掉?12英寸90纳米对INTEL等世界顶尖半导体厂商来说虽已过时,但对绝大部分半导体企业而言还是高不可攀。顶尖企业不愿买,一般企业买不起。“高不成,低不就”恐怕是这批设备找到合适买主的最大障碍。搬去别的工厂?芯片生产线都是“一个萝卜一个坑”,谁都不可能有闲置的厂房。更何况一座12英寸芯片生产线厂房的造价都在2亿美元以上,谁也不会花这么大的代价去造一个这么昂贵的“仓库”。

    于是我们产生这样一个推断:Intel在大连的项目不过是一个“壳”,用来装从FAB11x拆下来的旧设备这个“蛋”。至于为什么建设期要用不可思议的36个月,也就好理解了,因为这个“壳”在建设期只是要发挥一个仓库的功能而已,自然时间越长越好。

    按照国内乃至以色列、爱尔兰等世界各国的通行做法,吸引半导体芯片生产线落户,都要给予资金和政策上的优惠,最普遍的做法就是政府出钱给企业平整土地并建设好厂房。如以色列为吸引Intel FAB28项目落户Qiryat Gat,出资5.25亿美元为Intel修建厂房。相信在激烈竞争中胜出的大连市将不可例外也会为Intel提供土地和厂房。如果确是如此,如果以上猜测成立的话,那么对于Intel来说,它不仅免费获得了“壳”,方便的处理了“蛋”,更加深了和中国政府的关系,博得了各界一致关注和满堂彩。可谓一箭四雕。只是不知道这样一则整个IT业界的“大事件”,对于国内产业界自主知识产权的形成与核心竞争力的提高,又能有多大的帮助呢?


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