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    • TPS1120D的技术参数
    http://www.ic72.com 发布时间：2007/4/18 14:37:01
    产品型号:TPS1120D
    FET数:2
    漏源电压(V):-15
    持续漏极电流(VGS=-10V)最大值(A):-1.700
    静态漏源直流电阻 (VGS=-10V)典型值(mΩ):180
    通道极性:P沟道
    封装/温度(℃):8SOIC/-40~85
    描述:双路P沟道增强方式MOSFET
    价格/1片(套):￥10.50



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