台湾媒体报道，台湾TSMC（台积电）宣布45nm工艺的评测即将完成，计划2007年9月开始使用该工艺进行生产（新闻发布）。此工艺中使用了193nm液浸曝光、应变硅和相对介电常数很小的low-k技术。
    使用45nm工艺后，可在7cm×7cm的芯片上集成5亿个以上的晶体管。预计TSMC将首先使用低功率版（LP）工艺进行生产。然后再开始使用通用（GP）和高速（HP）版进行生产。
    该公司还公布了开发环境的进展情况。比如，同时试制多品种的“虛拟特快车(CyberShuttle)”已经完成第1次试制。并且还决定于5月、8月和12月实施。据说已有超过10家用户预约“虛拟特快车”。
    用于设计的EDA模型组件的工艺设计包(PDK)方面，已建立了45nmPDK的的检测流程。总共可进行133种检查。另外，在45nm的PDK中，准备有邻近效应良好的模型、MonteCarlo模拟和寄生RC元件等，进一步提高了设计精度。
    面向制造的设计(DFM)方面，除设计规格和SPICE模型外，还提供工艺的偏差数据。除提供之前同规格的市售EDA工具用设备驱动程序开发包（DDK）之外，还提供TSMC自主开发的DFM工具和实用程序。