据芯片分析公司Semiconductor Insights(SI)透露，内存芯片制造商Qimonda AG和Micron Technology在DRAM市场和技术领先的三星电子公司之前推出下一代DDR3 (Double Data Rate 3)DRAM样片。 
   SI营销副总裁Jenn Markey在一份声明中表示，DDR3的速度比DDR2快一倍，而功耗并没有大幅上升，市场对DDR3的到来期待已久。令人惊讶的是Qimonda和Micron的DDR3样片先于三星电子推出。 
   DDR3可提供高达1600Mb/s的数据速率，比目前的DDR高一倍多。由于电压从1.8伏降到1.5伏，因而功耗更低，热耗散更少，移动系统的电池寿命也得到延长。此外，在封装、pinout、用于DDR3内存更高速度的运行的信令等方面有显著改进。 
   Micron公司内存部分高级营销经理Bill Lauer表示，该公司将在2007年年中量产1-gigabit DDR3芯片，并提供2-gigabit DDR3芯片样片。SI认为，DDR3市场有望在2007年出现，而当前的市场宠儿是速度在800MHz以上的512-megabit 和 1-gigabit内存。