2007年3月20日中关村在线北京报道：今天，在北京丽晶酒店英特尔（中国）有限公司举办的“多核时代 共赢未来”为主题的2007年多核应用论坛上，英特尔公司宣布将率先在其45纳米处理器中应用创新的晶体管材料，以替代此前已经使用了30多年的原有技术，再次巩固其在芯片创新领域的领导地位。 
    英特尔方面表示，在45纳米晶体管中创造性地采用全新的高-k栅介质和金属栅极材料，极大地减少了晶体管漏电量，同时提高处理器性能。
    采用全新的45纳米制成技术后，在同样大小的面积内可容纳的晶体管数量将达到先前的近两倍，晶体管的切换速度可提升超过20%，而晶体管的漏电流降低5倍之多。英特尔已向世人展示了这些45纳米处理器的早期版本（代号为“Penryn”）。英特尔方面表示，基于Penryn架构的“至强”服务器处理器将于2007年第四季度推出。