今天下午，“英特尔多核应用论坛”于中国北京正式举行。会议刚刚开始，英特尔公司发言人就宣布了一条标志性的技术创新消息。他们将率先在其45纳米处理器中应用创新的晶体管材料，以替代此前已经使用了30多年的原有技术，再次巩固其在芯片创新领域的领导地位。
    英特尔方面表示，在45纳米晶体管中创造性地采用全新的高-k栅介质和金属栅极材料，极大地减少了晶体管漏电量，同时提高处理器性能。
    多年以来，传统的氧化硅栅介质和硅栅电极基础材料一直是制作晶体管的基本材料，采用此种工艺制成的晶体管被称为mos管。而应用新材料的45nm制程可实现性能突破：晶体管密度/切换速度将分别提升100%/20%、晶体管切换功率降低30%、源-漏极漏电功率/栅极氧化物漏电功率分别降低到20%/10%以内。