网站首页
IC库存
IC展台
电子资讯
技术资料
PDF文档
我的博客
IC72论坛
ic72 logo
搜索关键字: 所有资讯 行业动态 市场趋势 政策法规 新品发布 技术资讯 价格快报 展会资讯
  • 达普IC芯片交易网 > 新闻中心 > 科技成果 > 正文
  • RSS
  • 新材料显著降低45nm制程的漏电量
    http://www.ic72.com 发布时间:2007/3/13 10:57:00

        采用氧化硅制造晶体管栅介质已有40余年,随着氧化硅被加工得越来越薄,晶体管性能也稳步提高。然而,从90nm到65nm,再到45nm,氧化硅栅介质厚度的缩小也使栅介质的漏电量越来越高,导致了高能耗和不必要的发热。晶体管栅漏电与不断变薄的氧化硅栅介质有关,这一点已成为过去10年来摩尔定律面临的最大技术挑战之一。

        近日,英特尔公司在45nm晶体管栅介质中采用厚度更高的铪基高k(Hafnium-based high-k)材料取代氧化硅,有效的将漏电量减少了十多倍。

        由于高k栅介质与目前采用的硅栅电极不兼容,还需要采用金属作为栅极材料。英特尔将在其晶体管栅电极中采用不同金属材料的组合,但具体成分尚未公开。

    ic72新闻中心

    图:氧化硅栅介质晶体管与高k栅介质、金属栅极晶体管

        在英特尔45nm制程技术中,高k栅介质与金属栅极的组合使驱动电流或晶体管性能提高了20%以上,同时,也使源极-漏极漏电降低了5倍以上,大幅提高了晶体管的能效。


    www.ic72.com 达普IC芯片交易网
  • 行业动态
  • 市场趋势
  • 政策法规
  • 新品发布
  • Baidu

    IC快速检索:abcdefghijklmnopqrstuvwxyz0123456789
    COPYRIGHT:(1998-2010) IC72 达普IC芯片交易网
    客户服务:service@IC72.com 库存上载:IC72@IC72.com
    (北京)联系方式: 在线QQ咨询:点击这里给我发消息 联系电话:010-82614113 传真:010-82614123
    京ICP备06008810号-21 京公网安备 11010802032910 号 企业资质