全球领先的高性能系统功率优化产品供应商飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)功能性功率部执行副总裁兼总经理Izak Bencuya博士，将在2006年3月21日于上海举行的 PCIM China 2006会议上发表主题演讲。Bencuya博士将重点探讨，在以更小封装实现更高性能的应用需求之推动下，功率设计领域的发展趋势。PCIM China 2006于3月21日至3月23日举行，为期三天。 　　Bencuya博士将分析推动着集成更多功率功能之设计的市场力量。此外，他还将着重介绍现今一些先进方案，既有利于子系统优化，并使应用能够达到前所未有的性能，而又无需冗长的设计和验证工作。
　　PCIM China是中国电子业的重要活动，支持功率电子行业的发展。飞兆半导体在中国地区部署了大量设计、制造、封装以及测试力量。每年一度的PCIM China展览会至今已经举行了5届，届时全球业界专家将云集上海，竞相呈现最新的应用成果和产品。
　　此外，飞兆半导体有多位技术专家也将在本次会议上发表以下论文：
　　“并行MOSFET中电流失配引起之寄生电感的影响”－ 演说者：Alan Elbanhawy
　　长期以来，MOSFET一直成功地并行采用于VRM应用的同步降压(synchronous buck)转换器中。目前，随着应用的每相位安培数可高达40，设计工程师必须特别关注PCB布局，使由布局所造成与并行MOSFET相关的寄生电感降至最小，从而避免最终可能导致电源|稳压器故障的均流(current sharing)和散热的不均衡。
　　“传统和超连接(Super Junction)MOSFET体二极管的反向恢复评估” － 演说者：Praveen Shenoy
　　SMPS、镇流器和白色电器应用都需要具有良好体二极管特性的MOSFET，来降低导通损耗。此外，该体二极管应该能够处理很高的di/dt和dv/dt。反向恢复测试的数据显示，竞争产品SJ MOSFET体二极管在di/dt仅为100A/us时便告失效；而SuperFETTM器件却则几乎是无法破坏的，当di/dt大于1000A/us时也能工作裕如。
　　在飞兆半导体不断推出用于消费、通信、工业、计算和汽车市场的高度集成产品的努力中，其全球功率资源中心起着不可或缺的作用。这些中心分布在全球各地，由系统设计专家负责，并与客户密切合作以优化和开发创新性设计，其中有三家位于中国。此外，飞兆半导体已将资源在网上进行整合，融合了设计、选择和教育五金|工具，以帮助客户轻易实现其设计的功率优化。