飞思卡尔半导体公司日前为适用于时分同步码分多址(TD-SCDMA)无线基站推出高功率多级射频功率LDMOS FET。 
TD-SCDMA标准是第三代无线接入方法，这种标准有望在中国广泛采用。飞思卡尔是第一家专门针对新兴的标准提供商用射频集成电路(RFIC)的公司。新近优化的飞思卡尔MW6IC2240NB的高输出水平使OEM能够把部件数量从以前的2-3个设备减少到一个，不但节约了电路板空间，而且降低了功率消耗和成本。
旗舰型MW6IC2240NB是一个LDMOS双级RFIC。当用于28 V的最终放大器应用上时，在输出功率为35 dBm的 2010 MHz 到2025 MHz的频率范围内，能够提供28 dB的增益、-47 dBc的ALT1 和-49 dBc 的ALT2 （6载波TD-SCDMA信号）。MW6IC2240NB的操作电压是26至32伏，具有集成的静态电流温度补偿功能，采用TO-272超模压的、经济高效的塑料封装。
通过在一个RFIC封装内结合多个增益级， MW6IC2240NB可以极大地降低OEM的设计复杂性、部件数量、系统尺寸和物料单。
更多多载波应用的功率放大器
除MW6IC2240NB外，飞思卡尔还推出了另外6款非常适合于多载波应用（如CDMA、W-CDMA和 TD-SCDMA）的LDMOS 和 MOSFET功率放大器。他们运行在2010至2170MHz的频率范围内，这些设备是：
MHV5IC2215N: 双级LDMOS驱动放大器，具有23 dBm的输出功率、 27.5 dB的增益、49 dBc的ALT1和-50 dBc的ALT2 (6个载波的TD-SCDMA信号)。.
MRF6S21060N: N信道、增强模式横向功率 MOSFET，具有35 dBm的输出功率、15.5 dB的增益、-48 dBc的ALT1和-49 dBc的ALT2 (6个载波的TD-SCDMA信号).
MRF6S21100N: N信道、增强模式横向功率MOSFET，具有35 dBm的输出功率、14.5 dB的增益、-49 dBc的ALT1和-51 dBc的ALT2 (6个载波的TD-SCDMA信号).
MRF6S21100H: N个信道、增强模式横向功率 MOSFET，具有35 dBm的输出功率、16 dB的增益、-51 dBc的ALT1和-53 dBc的ALT2 (6个载波的TD-SCDMA信号)。
MW6IC2015NB: 双级LDMOS驱动放大器，具有25 dBm的输出功率，27 dB的增益、-50 dBc的ALT1和-52 dBc的ALT2 (6个载波的TD-SCDMA信号)。
MRF7S19080H: N信道、增强模式横向功率 MOSFET，具有35 dBm的输出功率、18 db的增益, -51 dBc的ALT1和-52 dBc的ALT2 (6个载波的TD-SCDMA信号)。
所有设备都符合RoHs标准，具有内部匹配的输入和输出，可用于磁带和卷轴。它们运行在26至32伏的偏置电压。除了MRF6S21100H和 MRF7S19080H外，所有其他设备都采用飞思卡尔超模压塑料封装，温度范围为200度。
供货情况
MW6IC2240NB、MRF7S19080H、MHV5IC2215N、MRF6S21060N、MRF6S21100N、MRF6S21100H 和MW6IC2015NB现均已批量生产并已上市。如需了解样品和定价信息，请与飞思卡尔半导体、您当地的飞思卡尔销售办公室或授权经销商联系。
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