记忆体封测厂力成（6239）、联测、华东（8110）、京元电（2449）、南茂、日月鸿等因应订单大增，今年均有扩产计划；传统封测厂矽格（6257）也正与矽品（2325）协调，择机切入记忆体封测市场。
台湾第二大封测厂力成30日将举行法说，市场预估今年资本支出可达90亿元。据了解，力成上半年将增加高速测试机台T5588型号20台，可望大举增加DDRⅡ测试产能。另外，力成
Micro SD卡封装月产能也将由目前的200万颗增加至500万颗，预计6月之前可达成。力成已在湖口二厂旁购置土地，用来盖设新厂，预计最快第三季加入量产。
据了解，力晶今年供给尔必达的产出比率将由去年的30%增加至50%外，包括来自力晶12M厂以及下半年的12C厂量产，再加上第二季起由90奈米转成70奈米所增加的产出，其中有一半属于尔必达，都将交至力成作封装测试，IM、东芝及新帝快闪记忆体封测订单增加。
南茂财务长陈寿康表示，南茂今年资本支出规划达40亿元，其中DRAM及Flash各占五成比重。DRAM主要扩充DDRⅡ产能，预计第二季开始扩充，月产能将由4,000万颗增至5,000万颗。Flash晶圆测试机台目前约140台，年底前计划大幅增加至200台。
陈寿康说，南茂去年营收167亿元，概估获利约41亿元，每股获利约4.6元。今年在产能大举扩充下，营收可望挑战200亿元大关，较去年成长25%。他说，今年第一季营收将与去年第四季持平，第二季会较首季成长5%。
联测为因为奇梦达（Qimon-da）、南科（2408）等记忆体大厂进行后段封装服务，加上可望新增力晶DDRⅡ订单，今年计划大举扩产。联测表示，今年将投入5,500万美元资本支出扩产，目标在下半年前将月产能由目前的900万颗拉升至2,000万颗。
京元电规今年资本支出为80亿元，其中20亿元将为扩建三厂所用，另60亿元为添购设备之用，陆续扩大在记忆体、LCD驱动IC、光储存元件等三大主力产品的产能。其中，今年将整合坤远科技、育霈科技等二家转投资公司，大举扩充记忆体封测产能。华东今年资本支出规划40亿元，主用于扩充DDRⅡ产能，目前华东DDRⅡ比重已达三成，月产能今年预计扩充至2,000万颗以上。
