新闻摘要: 安森美半导体（Onsemi）宣布，进一步拓展其在业内领先的低饱和电压(Vce(sat))双极结晶体管（BJT）产品系列至WDFN6、WDFN3、SOT-23、SOT-563和ChipFET的封装。这些备有多种封装选择的新器件采用先进硅技术，与传统BJT或者平板MOSFET相比，其电源效率更佳，电池寿命更长。我们的BJT在同类产品中脱颖而出，在业内是电源功耗
　
    安森美半导体（Onsemi）宣布，进一步拓展其在业内领先的低饱和电压(Vce(sat))双极结晶体管（BJT）产品系列至WDFN6、WDFN3、SOT-23、SOT-563和ChipFET的封装。些备有多种封装选择的新器件采用先进硅技术，与传统BJT或者平板MOSFET相比，其电源效率更佳，电池寿命更。这些新器件各种便携式应用的理想选择。  

    安森美半导体分立产品部总经理Mamoon Rashid说：“安森美半导体将持续拓展便携式产品系列，从而使设计更灵活，并实现最佳的节能。我们的BJT在同类产品中脱颖而出，在业内是电源功耗最少且热性能最佳。我们已将该系列扩展到20个以上的产品，在目前市场上高性能BJT方面为设计工程师提供最多的选择。 

    新型低Vce(sat)表面贴装器件是特别针对低电压，高速转换应用设计而成，其中电源效率控制至关重要。其特征为超低Vce(sat)—1安培下45毫伏（mV） – 和高电流增益。它们具有       >8,000伏 （V）的出色静电放电 （ESD）耐受性，可以在发生意外浪涌和损害的情况下进行自我保护。其电性能优越和温度系数低，提高了电源效率，并最终提高了电池电力保持能力。 

    SOT-23是业内最受欢迎的封装之一，且价格最低。SOT-563是最小的新型BJT封装(1.6 mm x  1.6 mm x 1.0 mm)。 两种WDFN封装为2.0 mm x 2.0 mm，并且高度低，为0.7 mm，是目前市场上便携式应用中的热效率最好的。3.0 mm x2.0 mm x1.0 mm的ChipFET的整体性能最佳。  

    这些器件理想应用于电源管理、电池充电、低压降稳压、振动马达、LED背光、磁盘驱动控制、照相机闪光灯以及低降压/升压转换器。 

    完整的低Vce(sat) BJT系列备有多种行业领先的封装，包括SOT-23、SOT-563、WDFN、ChipFET、SC-88、SC-74和TSOP-6。每10,000片的批量单价由0.18到0.40美元不等。