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  • IR整流器: IR新型智能整流IC节省75%的元件数量(图)
    http://www.ic72.com 发布时间:2007/1/5 9:24:00
     全球功率半导体和管理方案领导厂商——国际整流器公司(International Rectifier,简称IR)近日推出IR 1167 智能整流(SmartRectifier)  IC,它适用于膝上电脑、迷你PC、液晶和等离子电视、游戏机及其他数字计算和家庭娱乐系统中的AC-DC电源转换器应用。该器件不仅能简化设计,还能提升大功率回扫和共振半桥转换电路中的次级同步整流(SR)效率,使设计更小巧,散热效果更佳。

       IR中国及香港销售总监严国富指出:“在100W到300W的回扫电路中,传统的变压器控制电路既复杂又笨重,还浪费能量,因为SR MOSFET的极性转换感应需要很高的反向电流。相比之下,IR全新的智能整流IC凭借新的技术标准和直接感测SR MOSFET的电压门限值,实现了快速、准确的控制,使功耗降至最低。”

       严国富还补充道:“IR1167能提升1%的整体系统效率,减少MOSFET温升10度,并使得电路元件数减少为过去的1/4。”

       IR1167智能整流IC采用IR专有的HVIC技术,能够与各种MOSFET栅极兼容,还可以直接连接IR各种30V至200V 的SR MOSFET。在与具有优化导通电阻及栅极电荷特性的IR MOSFET产品共同使用时,IR1167智能整流IC的优势将更加突出,具有这些特性的产品有:IRF7853、IRFB4110和IRFB4227等。这些优化的MOSFET能与IR1167 SmartRectifier IC融合在一起,成为“整体芯片组解决方案”,进一步提升SR电路的效率和功率密度。

       由于新的IC能脱离主控独立运行,所以它适用于多种开关模式变压器和电容输出滤波器应用。与初级部分独立,意味着IR1167在低功率的“跳频模式”下运作,使产品符合“待机功率小于1W”以及加州能源委员会的80Plus规定。

       严国富还指出:“以往在共振半桥拓扑结构中,同步整流在商业上并不可行,因为变化的系统频率和低待机功率要求使整体架构变得非常复杂。如今,IR1167提供的简单SR为提升系统效率提供了重要动力。”

       智能整流技术使 SR MOSFET的损耗减半,因此也减少了所需的MOSFET数量,还有助于将大型TO-220封装改为小型、表面贴装的SO-8器件。

       新IC有SO-8和DIP-8两种封装选择,两者均不含铅(PbF),符合“电子产品有害物质限制指令”(RoHs)。产品基本规格如下:
     

    产品编号

    封装

    VCC 

    (V)

    VFET 

    (V)

    最高频率Sw.

    (kHz)

    栅极驱动 +/-

    (A)

    VGATE

    箝位

    (V)

    最大休眠电流

    (uA)

    IR1167ASPbF

    SO-8

    20

    <=200

    500

    +2/-7

    10.7

    200

    IR1167BSPbF

    SO-8

    20

    <=200

    500

    +2/-7

    14.5

    200

    IR1167APbF

    DIP-8

    20

    <=200

    500

    +2/-7

    10.7

    200

    IR1167BPbF

    DIP-8

    20

    <=200

    500

    +2/-7

    14.5

    200

    与 IR1167 Smart Rectifier配合应用的 MOSFET实例

     

    产品编号

    VDSS 

    (V)

    RDS(on) 最大

    @ 10V

    (mΩ)

    封装

    IRFB4110

    100

    4.5

    TO-220

    IRF7853

    100

    18

    SO-8

    IRFB4227

    200

    24

    TO-220



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