这种晶体管采用磷化铟和铟镓砷化物作为原材料，并且运行速度比其它最快的晶体管还要快300GHz左右。伊利诺伊大学的电子与计算机工程教授Milton Feng表示，新型的晶体管利用了底座以及集极区域（collector region）的伪态分级效应。“新架构加快了电子通过的速度，并且降低了电流密度和充电时间。”
根据最近的实验效果，Milton Feng教授认为，THz级别的“圣杯”已经触手可及。除了利用伪态材料外，研究人员还使用了新的工艺可以使得晶体管的体积更加微小。例如，晶体管的基座只有12.5nm厚。
THz级别的晶体管已经触手可及
“通过在垂直方向堆叠，我们可以缩小电子在材料中运行的距离，从而增加晶体管的运行速度。” 参与该项目的毕业生William Snodgrass介绍说，“由于集极区域的大小已经被缩小了，因此晶体管充电和放电的速度也会大大提升。”目前该项目仍然处于早期的研发阶段，距离实现大规模商用可能会有很长的时间。与此同时，麻省理工学院的科学家们也在使用相同的材料进行晶体管研究，并且获得了英特尔的支持，据悉他们准备在2年内拿出工程样品，详细信息请点击这里查看。
