美国Illinois大学Urbana-Champaign分校的科学家们打破了他们自己保持的最快的晶体管记录，制造出了频率为845G赫兹（109）的晶体管，已经接近了太赫兹（1012）装置的目标。  
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任Illinois大学电子与计算机的Holonyak教授职位的Milton Feng说：“这些用磷化铟与砷化镓铟的新型晶体管，利用了伪晶基部和集电极区域的坡度效应。这些部分的化学坡度增强了电子的速度，从而减小了电流密度和充电时间。”  
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Feng和他的研究小组使用他们最新的装置，使晶体管进入到了一个新的高速阶段，接近了太赫兹晶体管的“圣杯”。更高速的晶体管将产生更高速的计算机、更适用和安全的无线通信系统和更有效率的作战系统。  
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除了使用伪晶材料结构外，这个小组还精制了他们的制造过程，制造出了更小的晶体管部件。他们制造的晶体管基片只有12.5纳米厚。  
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这个小组的研究生William Snodgrass将在12月11-13号在San Francisco召开的the International Electronics Device Meeting会议上介绍了他们的结果。他说：“通过垂直缩小装置，我们减小了电子需要走的距离，因此得到了更快的晶体管。而且因为集电器的横截面也减小了，晶体管充电和放电的速度也加快了。”  

在室温小下（25摄氏度），晶体管的速度为765G赫兹。冷却到-55摄氏度时，晶体管的速度达到845G赫兹。  
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在下一步的研究中，Feng打算进一步降低电流密度，这样将减小结温度并提高装置稳定性。