英飞凌科技 (Infineon Technologies)日前发表多重闸极场效晶体管 (Multi-gate field-effect tran-sistor)技术，在未来是面对众多挑战的解决方法之一。在面积小又需要众多功能的集成电路上，比今日的平面单闸极技术(Planar single-gate)所消耗的功率要小很多。

　　在此新技术的一项展示中，英飞凌的研究人员测试了采用全新65纳米多重闸极场效晶体管架构，所制造全球第一个高复杂性电路，和目前的单闸极技术所生产出相同功能和性能的产品相比较，其面积几乎要缩小约30%，这类新晶体管的静态电流是之前的十分之一而已。

　　依据研究人员的计算，和目前在生产制程使用的65纳米技术相比，如此的静态电流将会使携带式装置的能量使用效率和电池寿命增加达一倍左右。未来的制程技术 (32纳米及之后的技术)还将进一步大幅提高此比例。

　　由英飞凌研究员所测试的65纳米电路包括超过3,000个主动式晶体管，以三维空间多闸极技术生产出来。许多结果均确认多闸极技术和当今的各种成熟技术一样的优异，但以相同的各种功能来说，所消耗的能量只有一半左右，在未来的技术世代来说，此优势将确信会越来越重要。
至目前为止，在持续缩小晶体管以满足消费者要更高效益的需求上，半导体产业已经将技术可能办到的范围逼到了上限。集成电路的体积越小，静态电流 (Quiescent current)将越大，这就是熟知的泄露电流 (Leakage current)，导致不必要的能量消耗。在晶体管正常“关闭”没有任何活动时，电子仍然还会通过耗用电位阻隔 (Depletion potential barrier)泄露出去，该阻隔的厚度只有几个纳米，由传统平面晶体管的单一闸极的表面来控制。

　　在持续微小化之后，为能很可靠的进行个别晶体管之开启和关闭，同时将能量消耗压至最低程度，英飞凌的研究人员采取完全不同方向的创新作法：他们改变了过去五十年以来一直都采用的标准平面 (two-dimensional，即二维空间) 晶体管架构，形成了三维空间 (three-dimensional)的架构。三维空间是成功的关键：晶体管的闸极(multi-gate，多重闸极)多面包围了消耗阻隔(depletion potential barrier)，因此可以提供三倍的接触面积，以确保晶体管可被真正的关闭掉。

　　在大块硅晶或硅晶在绝缘层的基座上，可采用多重闸极技术以传统制程和目前可用的材料将电路建构上去，使这类生产不会受到高成本创新材料的影响。采用第三度空间亦提供另一重要优势，也就是在芯片上以相同的晶体管数目来说，可减少每一晶体管主动使用的硅晶量，因此可以节省材料和成本。