在12月11日至13日举行的电气和电子工程师协会(IEEE)国际电子设备会议上，美国麻省理工学院德尔?阿拉莫实验室的研究人员向与会者介绍了砷化铟镓晶体管技术。专家认为，该成果有望将微电子革命带入新的重要阶段。 
　　砷化铟镓(InGaAs)晶体是德尔?阿拉莫实验室最新的研究成果。德尔?阿拉莫是麻省理工学院电气工程和计算机科学教授，同时还是学院微系统技术实验室成员。他表示，除非人们立即采取行动带来根本性的变化，否则，曾经在众多方面让人类生活丰富多彩的微电子革命将面临停滞不前的境地。 
　　硅晶体管是微电子业的基础。然而，据工程人员估计，在未来10年至15年，从尺寸和性能上讲硅晶体管的发展将达到极限。对此，德尔?阿拉莫的实验室和世界上其他实验室正在开发新的材料和技术以应对硅的极限问题。他说：“我们在为晶体管寻找新的半导体材料，希望今后的晶体管的性能不断提高，同时让设备的体积越来越小。”德尔?阿拉莫和他的学生目前研究的是一组半导体材料———III-V复合半导体。与硅不同的是，它们为复合材料，其中最为看好是砷化铟镓。电子在该材料中运行的速度比在硅中的要快许多倍。因此，它可能被用来制造十分小巧的晶体管，快速转换和处理信息。 
　　不久前，德尔?阿拉莫研究小组利用其制作的砷化铟镓晶体管向人们展示，流经新晶体管的电流量相当于目前最先进的硅晶体管电流量的2.5倍，而更大的电流量是快速运行的关键。此外，每个砷化铟镓晶体管只有60纳米，相当于当今最好的65纳米硅晶体管技术。 
　　英特尔公司晶体管研究和纳米技术主任罗伯特?周认为，德尔?阿拉莫研究小组展示的60纳米砷化铟镓量子井晶体管，在低压(如0.5伏特)下显示出了良好的性能，在该领域的研究中，这一成果是一个十分重要的里程碑。德尔?阿拉莫认为，砷化铟镓晶体管技术目前还处于“幼年”时期，由于砷化铟镓比硅更容易破损，因此它存在着诸多挑战，例如难以大批量生产等。但他同时希望，可满足尺寸要求、利用砷化铟镓的原型设备机可在今后两年内问世，该技术在10年内将会开始快速发展。 
　　德尔?阿拉莫乐观地表示：“经过更多的工作，这种半导体技术有望极大地超过硅技术，让我们在未来继续进行微电子革命。”