IR新推出的
200V DirectFET器件是应用于专为36V至75V通用输入范围内操作的隔离式 设计DC-DC转换器。其超低的51 mΩ典型10V导通电阻RDS(on)及减低了的栅极电荷，使IRF6641TRPbF特别适合应用于高效同步整流
MOSFET、推动大电流负载的高频及高效的DC-DC转换器、新一代中间总线转换器、DC马达驱动器，以及为风力涡轮转换功率的48V变频器的同步整流。在48V通用输入电压范围内操作的计算机及电信服务器的大电流AC-DC转换器也可以采用新器件进行同步整流。
IR亚太区高级销售总监曾海邦表示：“我们最新的
200V DirectFET
MOSFET的电流额定值达到25安培，但面积仅与0.7毫米高度的SO-8封装产品相同，同时也能把栅极电荷和封装电感降至最低，从而减少导通和开关损耗。一颗DirectFET MOSET就能比较两颗或三颗SO-8器件节省超过50%的空间。”
IR的新器件在诸多应用上都能提供卓越的表现。IRF6641TRPbF与其他采用次级同步整流插座的增强SO-8器件相比，当每个插座所使用的增强SO-8器件的数目相同时，新的DirectFET器件的效率可提高0.4%。此外，当每个插座使用两个增强SO-8器件时，IR的新器件也能提供同样7安培的电流和满载效率。在同一项分析中，每个插座如果采用两颗IRF6641TRPbF器件的电路，
MOSFET温度是最低的。
新器件有一个共用MZ占位面积，可以方便地将应用转换至其他中电压DirectFET MOSFET，例如具有可接受的增加电流电平和更低电压的100V IRF6662器件。
新的IRF6641TRPbF DirectFET MOSET现已供货，其基本规格如下：
IR已获专利的DirectFET MOSFET封装具有以往标准塑料分立封装所不能提供的全新设计优点。其金属罐结构可提供双面冷却功能，使应用于驱动先进微型处理器的高频DC-DC降压转换器的电流处理能力增加了一倍。此外，DirectFET封装内的器件均符合电子产品有害物质管制规定(
RoHs)。
相关文章
技术文库
• 采用多相操作技术提高升压型DC/DC变换器的性能 (2005-05-08)
• 用DirectFET技术提高电源转换器的功率密度和可靠性能 (2003-05-31)
查看更多
产品新知
• 凌力尔特新款6A至48A微型稳压模块具有多种新功能 (2006-11-10)
• IR新推三款25V DirectFET MOSFET提供更高的效率 (2006-08-08)
查看更多
新闻和趋势
• 安森美将来华探讨机顶盒电源设计技术 (2005-11-08)
• 东芝多种功率器件产品亮相第十届IIC (2005-04-08)
查看更多
上周热点文章
• 女工程师点评电路设计：好的电路与优秀男人的10大共同点
• 大跌眼镜，06年芯片厂商排名将会出现戏剧性变化？
• 情感盘点——一个软件工程师在深圳的1800天
• 职场新人遭遇“跳楼价”，工程师热论薪酬与职业发展
• 主流PMP解决方案优缺点及成本比较
• 职场攻略：重新起跳的时机
• 投之桃未必报以李，高科技研发投入产出比为何不尽人意？
• 新专利“显山露水”，苹果“染指”手机制造并非空穴来风？
• Cadence IC设计平台鼎力相助，中科院龙芯2E横空出世
• iSuppli拆解报告大曝光，索尼缘何亏本力捧PS3？
论坛热点文章
• 高速PCB设计指南--混合信号PCB的分区设计
• 汽车发电机调节器探讨
• 国内TPMS发展状态！
• 当电池电压4～6.6V时，输出3V给MCU，用LDO好呢还是DC/DC？
• 如何用单片机和存储器替代老设备的软驱
• 请教：如何与外部时钟信号同步？（verilog)
• RC延时电路计算问题
• PCB设计时铜箔厚度,走线宽度和电流的关系
• D类音频功率放大器的背景噪声问题
• 什么样的工程师叫素质高？
电子工程专辑 - 推荐应用子网站
电源系统
运算放大器应用设计的几个技巧
PCB电源供电系统的分析与设计
用低压差线性稳压器优化开关电源设计
单电源运算放大器的偏置与去耦电路设计
UPS电源工作原理及应用
为DC/DC转换器选择正确的电感器与电容器
适用于全球交流电源的单节锂离子电池充电器设计
是用户太愚蠢，还是设计师考虑得不够？
入门级工程师遭遇人才贬值，工程师激辩职业发展
面对酬薪，工程师如是说……
工业控制
变频器的基础知识
数据采集的原理介绍
PLC产生、构成和设计——初识PLC
变频器的使用中遇到的问题和故障防范
变频器技术发展方向预测
全面解决方案，究竟是麻痹了大脑还是提高了能力？
SCADA系统发展历程和前景展望
工控工程师要使用Zigbee技术？您无需成为RF专家!
RFID技术应用及其发展趋势分析
IEEE802.11b无线局域网接入点设计
