富士通微电子(上海)有限公司近日推出全新256Mbit移动快速循环随机存储器(FCRAMTM)MB82DDS08314A。该产品是一种伪静态随机存储器(PSRAM)，在富士通快速循环随机存储器的核心技术的基础上带有一个静态存储器接口，可以实现高速运算和低电耗，非常适用于手机等各种移动应用。
该新款移动快速循环随机存储器MB82DDS08314A采用双倍数据速率(DDR)突发模式，完全符合移动随机存储器(COSMORAM) Revision 4的通用规格要求。该产品器件有以下特点：
双倍数据速率(DDR)同步突发模式
多重地址/数据接口
高速数据传输速度，最高可达1GByte/s
短延迟模式，初始接入时间短
“无庸质疑，在未来移动电话市场上，像这样的信息密度高，运算速度快，耗电少的移动快速循环随机存储器(Mobile FCRAM)产品将成为必不可少的元件。” 富士通微电子市场总监庄健伟先生表示，“目前，高端的移动电话需要各种功能，如数码照相、数码摄像和地面数字广播流。富士通的快速循环随机存储器产品系列可以在现有的伪静态随机存储器(PSRAM)平台上实现高速的数据速率，从而提高手机性能。另外，MB82DDS08314A通过多重地址和数据总线能够把器件针数减到最低，从而可以免去客户方对线路板进行复杂设计。”
富士通是最早在移动电话市场上推出伪静态存储器的公司之一，一直以来为该市场的建立和发展做出了巨大的贡献。之前，为了满足市场对高速存储器的需求，富士通就推出了突发模式移动快速循环随机存储器产品系列：2003年5月推出32Mbit/ 64Mbit的器件，2003年8月推出了128Mbit的器件。
除了新的双数据速率移动快速循环随机存储器(Mobile FCRAM)，富士通还提供符合传统COSMORAM Rev.3规格的256Mbit单倍数据速率(SDR)移动快速循环随机存储器。该器件针对的是仍然使用原有单倍数据速率移动快速循环随机存储器接口，但需要更高随机存储器密度的客户。
MB82DDS08314A样品将于2007年1月起推出，并于2007年4月起开始批量生产。两种器件不仅提供封装好的产品，同时还有芯片和晶片的供应形式。
