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  • SAIFUN 和中芯国际采用中芯先进工艺技术合作生产 8GB 数据闪存 世界领先的集成电路代工厂中芯国际采用 SUNFUN 嵌入式 NROM 技术和设计生产先进工艺 8GB 闪存
    http://www.ic72.com 发布时间:2006/11/23 9:23:00
    新华美通以色列那塔亚11月23日电:中芯国际集成电路制造有限公司(纽约证券交易所: SMI,香港联合交易所:0981)世界领先的集成电路代工厂之一和 SAIFUN 半导体,著名的非挥发性内存 (NVM) 技术提供商,今日共同宣布将采用中芯先进工艺技术合作生产 8GB 数据闪存。这一基于 SUNFUN 嵌入式 NROM 技术和设计而成的独特产品,将有望于2008年进入市场。  

    SAIFUN 嵌入式 NROM 每基本存储单元四位元技术突破现有的非挥发性内存技术,比常规存储器容量增加一倍,结构却更为简单,从而需要更少的制造步骤,降低了生产成本。采用中芯先进工艺的 8GB 数据闪存的发展体现了嵌入式 NROM 的优势,使最具成本效益的闪存制造得以实现。它将使中芯凭借非常可靠和高性能的产品进入极具挑战的闪存市场。  
    中芯旨在提供一个全面闪存产品,从而进军中国乃至全球新兴电子消费市场。其现已基于 SAIFUN 嵌入式 NROM 每基本存储单元二位元技术产出第一批 2GB NAND 闪存产品的工程样本,计划于2006年底开始量产。  
    “我们很高兴能进一步与中芯国际合作,使最先进的闪存产品推向市场”,SAIFUN 半导体公司董事长兼首席执行官 Kobi Rozengarten 先生表示,“我们相信,中芯的创新与努力,结合 SAIFUN 的独特 NROM 技术,将使两家公司成为利润可观的数据市场的佼佼者。”  
    “我们很高兴能与 SAIFUN 进一步拓展我们的伙伴关系,进入更先进的闪存技术。这再次证明了我们提升闪存产品的共同承诺,”中芯国际总裁兼首席执行官张汝京博士表示,“我们相信,凭借 SAIFUN 的前沿技术开发和中芯可靠先进的制造能力,将进一步加强我们在闪存市场的地位。”  
    中芯国际简介  
    中芯国际(纽约证券交易所:SMI,香港联合交易所:0981)总部位于上海,是世界领先的集成电路芯片代工公司之一,也是中国内地最大及最先进的芯片代工公司。向全世界客户提供0.35微米到90纳米及更先进工艺的芯片制造服务。公司在上海营运三座8英寸芯片厂,在天津营运一座8英寸芯片厂,并在北京营运一座12英寸芯片厂,此为中国内地第一座正式营运之12英寸芯片厂。此外,中芯国际还在美国、意大利、日本提供客户服务和设立销售办事处,同时在香港设立了代表处。  
    SAIFUN 简介  
    SAIFUN 是一家为非挥发性内存技术 (NVM) 市场提供智能产权 (IP) 解决方案的供货商。该公司独创的 Saifun NROM(R) 技术 支持半导体制造者付运其具有高性能和可靠的产品而每百万单位只需相对较低的成本,随着更大的产能储备,为所有非挥发性内存技术 (NVM) 的应用而使用单一流程。SAIFUN 向半导体制造者授权其智能产权 (IP) 使用这一技术来发展并制造各类独一的内植非挥发性内存技术 (NVM) 产品。其中包括通讯、消费电子、网络和汽车类产品中使用的闪存。拥有 SAIFUN 特许的厂商包括英飞凌、Macronix、索尼公司、Spansion 和 Tower 半导体。  
    就1995年私人有价证券诉讼改革法案作出的“安全港”提示声明  
    本新闻发报之内容,如有关 SMIC 与 Saifun 进一步的合作等内容,可能载有前瞻性陈述之字眼。(除历史资料外)或含有依据 U.S. Securities Act 1933(已修订)第 27A 条文及 U.S. Securities Exchange Act 1934(已修订)第 21E 条文所界定的“前瞻性陈述”。该等前瞻性陈述存在重大已知及未知风险、不确定性,以及其它可能导致中心实际业绩、财政状况或经营结果与前瞻性陈述所载资料存在重大差异的因素。有关该等风险、不确定性,以及其它因素之进一步资料已包括在中芯于二零零五年六月二十八日提交与美国证券交易所之 20-F 年报及其它中芯需不时提交与美国证券交易所或香港联合交易所有限公司之文件内。  
    消息来源 中芯国际集成电路制造有限公司  
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