飞思卡尔公司扩大了用于WiMAX基站的射频功率
采用其第七代高压(HV7)射频LDMOS技术，飞思卡尔半导体公司(FreescaleSemiconductor)（纽约证券交易所：FSL）（纽约证券交易所：FSL.B）已经实现了在3.5 GHz频带上运行的WiMAX基站所需的射频功率放大器性能。飞思卡尔公司的成功标志着制造商首次解决了射频外侧扩散金属氧化物半导体（RF Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor，LDMOS）技术所遇的技术难题。
飞思卡尔公司已经开始供应12V砷化镓假晶高电子迁移率晶体管(PHEMT)产品组合，其计划继续开发高压砷化镓PHEMT技术，从而能够生产出更高性能的砷化镓设备，以供WiMAX系统设计与其他频带在2 GHz至6 GHz之间的设备使用。
通过在射频LDMOS和砷化镓PHEMT技术中提供功率晶体管，飞思卡尔公司的射频解决方案事实上能够支持任何一种高功率无线基础设施——LDMOS性能最高可达3.8 GHz，砷化镓PHEMT性能最高可达6 GHz。
飞思卡尔公司副总裁兼射频事业部总经理Gavin P. Woods说道：“凭借HV7 RF LDMOS技术所取得的最新进步，飞思卡尔公司现在处于有利位置，能够为未来的WiMAX以及其他高频率市场提供服务。我们的高压砷化镓技术开发将会继续提供市场中所有竞争产品中最高水平的效率，并且将我们的基础设施设备扩展到6 GHz范围。”
WiMAX：要求严格
WiMAX系统使用64正交调幅(QAM)直交分频多路调制(OFDM)信号。QAM OFDM信号处理为功率放大器设计带来了独特挑战。后端的射频功率晶体管线性非常关键，不仅在于它的频谱构成了掩蔽要求，而且在于正交构成了EVM（误差向量大小）要求。在这项声明发布之前，硅LDMOS技术在3.5 GHz频带下无法提供可接受的射频功率性能水平。这意味着像是砷化镓PHEMT这样的化合物半导体设备是设计师们的唯一选择。飞思卡尔公司先进的3.5 GHz HV7 LDMOS设备现在能够提供WiMAX系统所需的效率、线性与EVM性能，设计师从此能够在化合物半导体与硅LDMOS之间进行选择。
HV7 RF LDMOS供应情况
首批3.5 GHz LDMOS设备样品目前已经供应市场。MRF7S38075H是一款75瓦P1dB射频晶体管，平均功率为42dBm (16W)，能够满足3.5 GHz基带上的WiMAX性能要求。除此之外，40瓦和10瓦P1dB 3.5 GHz设备也预计将于2006年2月供应市场。这三款先进的LDMOS设备使得飞思卡尔公司现有的射频功率晶体管的产品组合趋于完美，而且均以新出现的2.3、2.5和3.5 GHz基带的WiMAX/WiBRO为市场目标。
高压砷化镓供应情况
先进的HV7 LDMOS设备是用于3.5 GHz WiMAX应用的12V砷化镓PHEMT设备的有益补充，当前正在开发的新款高压砷化镓设备将能够在最高达6 GHz的频带下运行。这使得它们成为了在上述频带范围上运行的WiMAX及其他无线设备的最佳选择。砷化镓设备的工作电压超过20伏，输出功率高达100瓦，能够满足数字调制系统的严格要求。
飞思卡尔公司首款高压砷化镓PHEMT设备样品预计将于2006年第三季度面世。
