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IR中国及香港销售总监严国富表示:“IR不断为高压IC技术建立新的标准。IR的HVIC可在一个小巧、坚固的集成电路中融入所需的设计功能,有助于减少设计时间,降低开发风险,减少器件占位空间及降低系统成本,同时也可提高最终产品的可靠性,加快其推出市场之时间。”
G5 HVIC已经通过多项质量和可靠性测试。所进行的长期可靠性测试已验证其坚固程度超过了产品在特定应用环境中的预期寿命。这项认证要求器件通过多项应力(stress)环境测试,其中包括一项长达 2,000小时的偏向高温测试,以使器件结点的温度超过数据表中的规格。
此外,随着硅技术和封装技术的改进,新器件的可靠性也在不断增强。例如,先进的封装设备和材料与近期改进的塑封注入技术相结合,有助于降低器件的潮湿敏感度,并改善塑封对裸片的连接,这是采用无铅焊接材料增加峰值焊接温度所要考虑的重要因素。
新器件的表面贴装SO-8封装符合MSL2标准(二级潮湿敏感度标准),其余所有表面贴装封装则符合MSL3标准(三级潮湿敏感度标准)。所有新型HVIC产品都符合J-STD-020C标准,以及IR的环保目标和政策。
IR的HVIC技术集成了智能驱动IC中的N沟道和P沟道LDMOS电路。这些IC可接受低压输入,并为高压功率调节应用提供栅极驱动和保护功能。另外,这些单片HVIC可提供集成的性能和功能,不仅可简化电路设计,还可降低整体成本,包括采用低成本的自举电源,无需使用基于分立式光耦合器或变压器的传统设计所需的体积大、价格贵的辅助电源。