Eblana 光子公司和Vitesse半导体公司今天宣布达成合作协议，利用Vitesse的4英寸InP集成电路装配线来制造低阈值单模激光二极管。 

    这两家公司准备采用已有的InP IC生产设备和工艺来装配2.5-Gbit/sec，单波长的激光二极管。这些激光器在温度T= 25°C时，输出单波长激光，波长λ = 1.54 μ m (micron)，阈值电流为12 mA。发射功率为20mW 时，其边模抑制比（SMSR）好于40 dB。 

    Vitesse计划使用其标准的VIP-2 InP HBT工艺，结合Eblana的可再生激光技术平台来制作激光器。按照这两家公司的说法，这种激光器的制造工艺具有划时代的意义，将对通讯行业产生重大影响: 
  
    • 短期而言，它可以大幅度降低生产成本，这是因为这种工艺是借助于成熟的电子制造平台，仅仅利用IC制造工具和工艺，以及相关的工艺控制体制就能完成。 
  
    • 该技术可实现人们所需的光子集成等级，推动FTTP和GbE在接入和企业网络的发展。 

    • 长期而言，通过将成熟的InP电路技术和突破性InP激光器技术相结合，则产生出更多新型器件和应用。 

    Vitesse的副总裁Ray Milano先生表示：“Eblana通过研制出一种类似DFB性能的，采用标准IC工艺制造的器件解决了激光器制造过程中的一个关键问题，另外，由于Eblana的技术平台仅仅采用标准的电子设计规则和成熟工艺，那产品的性能和一致性都得到有效保证。这项技术也将对光收发器的制造产生重大而积极的影响。”