根据研究机构Prismark预估，到2010年全球SiP产值将达到99.8亿美元，较2005年增加1.33倍。 　   
   此外，台积电后段策略发展项目资深处长Tjandra Karta在演讲中指出，近年来晶圆价格下滑，但封装价格不减反增，暗指后段封装价格应有改善空间，使整体晶圆成本下滑。对此，日月光集团研发中心总经理唐和明响应，这表示我们（指封装）出头天了！ 
　一IC包装体包含多芯片或一芯片，加上被动组件、电容、电阻、视波器、连接器、天线等任一组件以上的封装，即视为SiP。因此，SiP呈现的型式千变万化，就芯片的排列方式而言，SiP可能是2D平面或是利用3D立体式堆栈式，以有效缩减封装面积的多芯片封装。 
　行动电子设备市场快速发展，推动对SiP技术的大量需求。根据Prismark估计，2004年SiP全球产值为31.5亿美元，到2005年增加至42.7亿美元，预估到2010年可望成长至99.8亿美元，较2005年增加1.33倍。其中以堆栈式封装层迭技术的成长性最为显著，2010年产值为5亿美元，占整体SiP比重5％，比2005年的2,500万美元及占整体1％的比重高出许多。 
　像SiP封装这类高阶先进技术，成本相对也高。Karta即指出，随着制程演进，以0.13微米及90奈米制程为例，前者晶圆成本价格比重近75％，封装成本比重约10％，但制程提升至90奈米制程，晶圆成本比重降至50～60％，但封装成本比重反上升至近20％。Karta表示，硅晶圆成本比重下滑，封装成本反而增加。此番话也暗指封装价格应该有改善空间。 
　在设计SiP封装时，还必须考虑已知良裸晶问题。半导体测试设备供货商惠瑞捷总经理陈瑞敏指出，产品必须在最后组装完成之后才能进行全面测试，即使发现错误时，往往为时已晚，模块中只要出现1个组件故障，整个模块就要被丢弃，由于最终的产品良率是透过将所有组件的良率相乘来估算，因此任何1个裸片的失败都将会导致成本大幅度提高。 
　为了解决上述问题，提升KGD是提高良率的方法之一。但采用KGD就必须增加晶圆测试成本，所以KGD并非最佳解决方法，因此SiP测试的成本问题仍有待改善。