半导体材料的研究起步与国外相差并不是很大。国外微电子技术发展比较快的时代我们经历了文化大革命，这个阶段耽搁了一些工作。美国、日本、欧洲一些国家集成电路技术发展很快，集成电路不光有一个材料就可以做成，要有可视技术、扩散技术等等，有一系列的工艺技术。我们国家在制造技术方面，高精度的可视机、曝光机都掌握得比别人少。要想做成这种芯片，首先要有这个技术这个设备。另外人家已经发展得很好了，你要想用人家的得买这个技术。我们中间有一段落伍，使很多方面我们不具备自己的知识产权。就材料本身的研究来看，我们并不比它差多少。物理研究，对它的性质研究，对物性的了解应该说是可以的，差距不大，差距的只是技术。硅单晶我们可以做八英寸、十英寸，但是价格性能比可能比人家差。我们如果引进一个技术，比如有21美元可以引进0.18个微米的技术，建成以后我们的CPU动态存储器、静态存储器也可以做，关键是做完之后有没有市场？市场也在人家手里掌握，发展微电子需要一个过程。我们国家通过合资引进技术，本身有所发明创造，有所革新的基础上把我们的价格性能比做上去，建立信誉，那我们的微电子技术就会发展起来。当然国内的军工需求靠国外买不来，我们也需要自己发展。但这种发展要求的技术并非是现在顶尖的技术，人造卫星、火箭控制、宇宙飞船，那里面所需要的电路元器件不一定是集成电路，密度非常高的，速度一定非常快的，也不一定都是这样的，是一种专用的功能。半导体材料研究的水平我们与外国相比也并不是差得很多，只是在这个技术和设备和利用技术设备变成产业的时候差距比较大。