硅是集成电路产业的基础，半导体材料中98％是硅，半导体硅工业产品包括多晶硅、单晶硅（直拉和区熔）、外延片和非晶硅等，其中，直拉硅单晶广泛应用于集成电路和中小功率器件。区域熔单晶目前主要用于大功率半导体器件，比如整流二极管，硅可控整流器，大功率晶体管等。单晶硅和多晶硅应用最广。
    国内2000年和2001年单晶硅产量分别为400吨和500吨，2002年硅单晶年生产能力达到800吨以上，硅抛光片生产能力达1亿平方英寸以上。从理论上讲，这完全可以满足境内集成电路芯片厂家的需求。但境内的8 英寸集成电路芯片厂完全使用进口硅片，6英寸芯片厂主要也使用进口硅片，出现这种状况主要有三个方面原因：
    一是关键原材料需要进口。与国际先进企业相比，国内多晶硅企业在能耗和物耗上分别高2.5－23倍，污染大、规模小、生产手段落后，导致产品成本价格倒挂，生产企业由1984年的14家和144吨年产量降低到1999年的2家和60吨年产量，企业生存日渐艰难。
    2001年，国内生产单晶硅500吨左右，需用多晶硅1000吨，而国内年产量在100 吨左右，中间的巨大缺口要依靠进口填补。由于技术引进的障碍，这种缺口暂时还难以克服。此外，集成电路生产所需的高纯化学试剂、特种气体也面临类似的严峻形势。
    二是国内厂家规模小，技术档次低。目前，国内硅材料厂家已超过35家，但产值超亿元的企业只有3家。硅材料产品中， 用于太阳能用单晶硅和分立器件区熔硅单晶所占比例过高，用于集成电路的直拉单晶硅片只占很小的部分，而且国内目前硅片的商用化生产水平是100－150mm，只能小批生产200mm硅片， 而国际主流的商用化水平是200mm，已经可以量产300mm硅片。
    三是深加工能力低。直拉单晶硅的后续加工、腐蚀抛光，国产设备难以实现规模化生产，设备的引进一直受到国外制约，难以向集成电路企业提供足量的合格产品，制约了产品的价格和市场竞争力。
    加入WTO以后，对国产硅片的保护不复存在， 不同硅材料将受到不同程度的影响：
    一、用于电力电子器件和分立器件的硅材料所受冲击较小。这类产品产量大，但档次低，附加值、产能和生产效率也比较低，竞争相对缓和，所受冲击较小；同时发达国家有将分立器件和相应硅材料工业向亚洲国家转移的趋势，这是入世后我国硅材料产业继续发展的重要基础。
    二、集成电路用大尺寸硅外延片与抛光片受到巨大压力。这些产品利润最丰厚，但竞争也十分激烈。入世后，国内相关厂商与日本信越、德国WackerSiltranic 、三菱/住友、美国MEMC等国际一流厂商同台竞争， 这对国内硅工业技术水平的提升形成巨大的压力。