“十五”期间，国内电子材料行业发展稳步增长，全行业工业总产值(销售收入)约为550亿元，占信息产业总销售的1.3%。其中覆铜板材料、磁性材料、半导体材料约为470亿元，总出口额近25亿美元。 
　　半导体硅材料供需失衡
　　多晶硅  多年来，中国多晶硅年产量徘徊在百吨级水平，供需关系严重失衡。2005年，国内集成电路和硅太阳能电池对多晶硅的实际需求量达到了3000吨左右，95%以上多晶硅材料需要进口，成为制约行业发展的瓶颈问题。在国家发改委、科技部和有关部门的支持下，在中国有色工程设计研究总院、洛阳中硅高科技有限公司等共同努力下，年产300吨规模的多晶硅项目已在2005年12月投产，形成洛阳中硅高科技公司、峨嵋半导体材料厂、乐山新光硅业公司为基础的产业格局，年产能400吨左右，实际总产量约80吨。
　　单晶硅  从1995年开始，中国硅单晶的年均增长速度约为30%，在短短几年中，我国内地硅单晶的年产量增长了20～30倍。受太阳能电池快速发展的拉动，2004年硅单晶年产量1700余吨，2005年产量增长47%，总产量达到约2700吨，总销售额约50亿元，其中太阳能电池硅单晶产量近2000吨。2005年，单晶硅出口1406.31吨，出口额13658.73万美元；单晶硅片出口479.38吨，出口额11674.08万美元。
　　目前，中国单晶硅产品的总体水平仍然较低，产品结构以4英寸、5英寸、6英寸硅单晶片为主流，12英寸硅抛光片经过有研半导体材料股份有限公司和浙江大学硅材料国家重点实验室的研发已经取得较好的成果，目前已经建成月产1万片的小试验线，在大尺寸硅片研制中跻身于国际技术行列。
　　砷化镓材料产业化体系完善
　　砷化镓(GaAs)是目前最重要、最成熟的化合物半导体材料之一，广泛应用于光电子和微电子领域，中国的砷化镓材料产业化工作发展很快。中电科技集团四十六所在收购美国Litton Airtron公司生产线的同时，自主开发VB-GaAs单晶生产技术，同时进行半绝缘砷化镓材料和低阻光电器件用砷化镓材料的产业化工作，目标是实现光电砷化镓衬底年产20万片、半绝缘砷化镓材料年产15万片-20万片；中科镓英公司正在开展半绝缘砷化镓材料及其外延材料的产业化工作；以北京有色金属研究总院的HB-GaAs技术为基础成立的国瑞电子公司已实现光电器件用砷化镓材料生产多年。
　　磁性材料稳居全球之冠
　　中国磁性材料产业规模已居世界第一位，2005年总产能达45万吨，其中永磁铁氧体为29万吨，软磁铁氧体为16万吨，销售额约250亿元，出口占总量的50%以上。我国磁性材料中低档产品占据国际市场的60%以上，高档产品方面也开始形成竞争力，高性能的软磁铁氧体材料PC40(μ>10000)和永磁铁氧体材料(双4000瓦形磁件)在2005年总产量中占有30%的比例，行业的技术进步有了较大提高。但从行业整体看，中国磁性材料工业与国外先进国家相比，存在着企业分散、管理水平低、产品档次低和质量不稳定等问题。
　　覆铜板材料成为出口创汇大户
　　铜箔层压板(CCL)是制造印制电路板(PCB)的主要材料。2005年，中国覆铜板年产量约为20055万平方米，同比增长20.7%，总销售额达169亿元，同比增长26%，出口额为57018万美元，年出口量增长5.66%。中国覆铜箔层压板生产量已居世界第二位。目前国内生产覆铜板的企业有几十家，12μm、18μm、35μm、70μm铜箔均可生产，主要企业的产品质量已达到国际先进水平。
　　电子陶瓷材料参与厂商众多
　　中国已成为世界MLCC(片式多层陶瓷电容器)制造大国，MLCC用Y5V、X7R、NPO牌号陶瓷已批量生产，Ni电极贱金属陶瓷在研制中。2005年全球需求瓷料为1.5万吨，其中，贱金属抗还原瓷料量为1.2万吨。Ni电极MLCC抗还原瓷料的研制开发与大批量生产是当今MLCC瓷料生产厂家的关键。
　　中国从事介质陶瓷材料研究开发与生产的院校、工厂已有上百家，通过近年来的不断努力，已取得了一批具有国际先进水平的科研成果，并具有独立自主知识产权。国内年生产各种介质陶瓷材料1800余吨。国内微波介质陶瓷材料及器件在技术水平、产品品种和生产规模上与国外相比有较大差距。