安森美半导体拓展功率MOSFET产品系列，推出18款新计算器件

    功率MOSFET优化直流-直流转换并降低CPU/GPU 供电、直流－直流转换器及高低端转换中的临界电流水平功耗安森美半导体推出18款优化直流－直流转换并降低临界电流水平功耗的新型功率MOSFET器件。这些功率MOSFET适用于计算应用中的CPU/GPU供电，直流－直流转换及高低端开关，如台式机、笔记本电脑和服务器中。

    这些新型的30伏(V)，35到191安培(A)的器件是单个N-沟道MOSFET提供较低RDS(on)以尽量降低功耗。器件的门极电荷和门极电荷比也小，降低导电和开关损耗，使电源效率更高。

    安森美半导体PowerFET部副总裁David Garafano说:“为了帮助我们的客户满足特定应用的需要，安森美半导体一直在拓展PowerFET产品系列，以提供业内品种最多的MOSFET。因为安森美半导体有多种生产这些新型MOSFET器件的制造资源，所以我们可以有效地处理突发的需求变化并进一步确保准时供货。”

    器件 

    其中8款新型功率MOSFET器件采用DPAK封装，而每10,000片的批量预算单价在0.40至0.87美元之间。

            器件                                VDS    ID         Rdson @ 10 V     Qg (典型) 
    •    NTD4804N      30 V     117 A      4 mΩ      30 nC  
    •    NTD4805N      30 V     88 A      5 mΩ      20.5 nC 
    •    NTD4806N      30 V     76 A      6 mΩ      15 nC 
    •    NTD4808N      30 V     63 A      8 mΩ      11.3 nC 
    •    NTD4809N      30 V     58 A      9 mΩ      10.7 nC 
    •    NTD4810N      30 V     54 A      10 mΩ      9 nC 
    •    NTD4813N      30 V     40 A      13 mΩ      6.9 nC 
    •    NTD4815N      30 V     35 A      15 mΩ      6 nC

    其他10 款新型功率MOSFET 器件采用SO-8平引脚封装– 带外露引脚框于背面使散热更佳。这些器件的每10,000片的批量预算单价在0.71至0.91美元之间。 
   
             器件                   VDS    ID             Rdson @ 10 V     Qg (典型) 
    •    NTMFS4833N    30 V    191 A      2 mΩ      39 nC 
    •    NTMFS4834N    30 V    130 A      3 mΩ      33 nC 
    •    NTMFS4835N    30 V    104 A      3.5 mΩ      25 nC 
    •    NTMFS4836N    30 V    90 A      4 mΩ      19.1 nC 
    •    NTMFS4837N    30 V    74 A      5 mΩ      14.2 nC 
    •    NTMFS4839N    30 V    66 A      6 mΩ      12 nC 
    •    NTMFS4841N    30 V    57 A      7 mΩ      11.9 nC 
    •    NTMFS4741N    30 V    67 A      8 mΩ      15 nC     
    •    NTMFS4744N    30 V    53 A      10 mΩ      10 nC 
    •    NTMFS4747N    30 V    44 A      13 mΩ      12 nC

    更多关于安森美提供的所有功率MOSFET器件的信息，请访问http://www.onsemi.com.cn 或联系Kathleen Van Tyne (电邮地址: k.vantyne@onsemi.com)。