英飞凌发力90nm磁盘驱动SoC，第三代产品支持6Gbps
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英飞凌科技日前展示了一款硬盘读取IC内核的功能以及超过2.6Gbps的数据率，据称这是业内90纳米读取通道最高的数据率，比前一代器件几乎要快30%。该内核是英飞凌与日立环球存储联合开发的第三代读取通道。它被集成至一个片上系统（SoC）器件，该器件包含控制硬盘的所有必要功能，包括将率先同时支持4.25Gbps光纤通道和即将推出的6Gbps SAS（串行连接SCSI）和S-ATA（串行ATA）标准的物理层内核。该片上系统预计在2007年初全面投产。
据介绍，2.6Gbps 90nm内核是2005年推出并开始样品生产的内核的更高速度版本。该产品是英飞凌全系列读取通道IP组合的一员，满足各种HDD细分市场的需求：消费类/超低功率、移动、台式机和企业等。不同的读取通道内核版本源于共同的架构，是通过针对各个细分市场的特定目标参数进行定制设计实现的。
到2006年底，英飞凌预期将销售3000多万枚基于当前读取通道技术的S-ATA片上系统器件。英飞凌S-ATA片上系统解决方案的性能和成本竞争力，加上该公司的ASIC设计与制造专长，为硬盘制造商带来了增值。这些硬盘制造商通常在订单到量产时间和大批量生产支持方面有着苛刻的要求。
英飞凌ASIC设计与安全业务部的所有90nm片上系统产品可以在世界范围内的多个制造厂生产，从而可以保证供应的持续性，并为客户提供灵活的供应链以及扩大量产的机会。目前，支持英飞凌90nm工艺的晶圆厂包括英飞凌德国德累斯顿工厂和台联电。
根据Gartner Dataquest公司2005年8月的研究报告，硬盘市场预期将从2005年的33亿美元增长到2009年的45亿美元，实现增长近30%。除了丰富的读取通道IP组合，英飞凌还是微软FlexGo“即用即付”充值计算的开发合作伙伴。 | |
