DRAMeXchange发布最新的内存市场行情指出，由于NAND
Flash终端应用产品对NAND
Flash的需求远不如之前预期，下游厂商手上的库存量并未随着Samsung的锁货策略而完全消化。下游厂商处在月底供货的状况下，纷纷开始调节手上的库存，因而造成所有NAND
Flash的现货价格全部下跌。其中，又以现货市场平时需求较小的16Gb、8Gb和1Gb跌幅最大，这三种规格的跌幅均超过10%以上，远远大过各自在6月时的现货价格跌幅。 DRAMeXchange表示，月底到货效应出现，NAND Flash价格在七月的最后一周出现大幅度向下修正，在NAND Flash大厂Samsung采取锁货策略长达三周之后，终于在上周开始供货给客户；而另一厂商Hynix则是固定在每月的第四周供货给大中华地区的客户，因此，上周NAND Flash现货市场各种产品规格的供给端开始处于供给过剩的状态。
回顾过去一年所有规格的NAND Flash价格走势，DRAMeXchange表示，除了去年第三、四季因为Apple的iPod
Nano和Shuffle热卖造成NAND Flash供给端货源吃紧导致现货价格往上攀升之外，其余时间整个NAND Flash市场的现货价格走势完全吻合。
以目前这个时间点来看，NAND Flash的价格在未来一至二周内，尚无明显的刺激因素可以驱使整个现货价格往上涨，顶多在供货商采取适当的紧缩策略下，使整个NAND Flash现货市场的价格波动可以再度回到稳定的状态。
DRAMeXchange认为，唯有等到下一个热卖的NAND Flash终端应用产品出现时，NAND Flash的现货价才有可能重演去年下半年的荣景。
至于在DRAM市场方面，七月下旬现货市场DDR与DDR2价格涨跌互见，在力晶即将停产DDR
256Mb(32x8)颗粒消息刺激下，DDR
256Mb价格涨势较为强劲，DDR
256Mb与DDR 256Mb eTT颗粒分别上涨至2.71美元以及2.68美元。而DDR 512Mb(64Mbx8)
400MHz也连带受到激励上涨至5.23美元，远超过DDR2颗粒价格。
DDR2部分，目前贸易商及模块厂手中库存水位偏高。而由于接近月底因此各家厂商开始抛出手中库存，DDR2 512Mb 533MHz以及DDR2 512Mb 667MHz价格分别回文件至4.52以及4.7美元。而力晶的DDR2 eTT多为667MHz且价格相对主流颗粒便宜，因此，仍有厂商愿意进场拉抬，使得价格小幅上涨并且与DDR2 512Mb 533MHz价差逐渐拉近。
在合约市场方面，DDR及DDR2还是处于供给吃紧状态，主要原因在于计算机系统大厂的需求持续攀高，而DRAM厂商供给增加幅度不及需求增加幅度。DRAMeXchange预估8月DDR2合约价格每次仍有2-3%涨幅可预期。
目前DDR2 512MB模块已经不容易见到40美元以下的合约价格。因此，预期在8月上旬部分价格太低的合约价格将会调涨至正常水平。整体而言，DRAMeXChange预期DDR2合约市场价格仍将缓步上涨。512MB均价至九月底可望达到44至45美元。DDR模块在九月底前，应持续维持高档，预估在十月后，随着需求减少，价格可能向下修正。
