该产品采用了使用GaAs技术的HJFET(hetero junction field effect transistor)结构。该公司对HJFET加以改进,成功地将其嵌入到小型封装中。与以前产品相比,安装面积减小75%,厚度降低50%。
信号通过时的插入损失比以前产品降低了40%,频率的插入损失方面,相对于2.5GHz的信号时控制在0.5dB,相对于6GHz信号时控制在0.7dB。消耗电流为标准0.1μA。封装方式为6针的TSON。样品价格80日元。该公司计划2006年7月开始以月产30万片的规模进行量产,2007年将规模扩大至月产100万片。