由于市场受到对增强的封装性能和更小外形尺寸、增长的基础设施，以及新型基底技术和装配工艺发展等需求的推动，因此倒装芯片(FC)封装市场近年来一直在飞速发展。

    鉴于FC封装具有出色的性能和可靠性、较小的占位面积而且符合无铅倡议，所以半导体装配和测试服务(SATS)供应商Advanced Interconnect Technology(AIT)有限公司已经与Advanpack Solutions有限公司签署了一份授权协议，开始将该技术用在AIT基于引脚框架的封装上，特别是四侧无引脚扁平(QFN)封装。

    但是在FC投入使用之前，仍存在几个需要解决的问题。

　　其中一个问题，是采用标准焊料凸点(solder bump)引脚的阿尔法粒子辐射可能引起嵌入式存储器的“软”缺陷。为了避免阿尔法粒子引起的破坏，引脚之间要保持一定距离。这里，铜柱块凸接合技术(CPB)因其铜离板高度和无铅焊接头而具有一定优势。

　　提高可靠性

    此外，超越传统焊接的CPB工艺增大了铜的使用力度，从而使可靠性和性能均得到提高。铜柱凸点的大离板高度使凸点之间的底部填充材料便于流动，防止出现空洞。

　　像QFN这样的FC封装，可以容纳大量的I/O焊盘，因为CPB工艺具有很细的间距。在间距可以低到80微米的情况下，设计工程师能够在传统的周长阵列和先进的全装配阵列QFN封装上增加更多数量的I/O焊盘。封装设计层面灵活性的提高，允许缩小整个封装的占位面积，这对于满足下一代应用需求来说至关重要。

　　对于RF和功率器件的应用而言，CPB具有较标准焊料凸点或线绑定封装更好的电热性能。CPB电阻系数和热性能分别比标准封装提高了9倍和8倍。MOSFET器件的Rds(on)因此也可以降低40%(改进高达40%)。

　　CPB的独特形状可在不同的器件应用中得以实现，如具有优异热电性能的条型结构和用于法拉第屏蔽的矩形结构。其它的定制形状则可以取决于不同的应用。

　　CPB是完全无铅的，采用的是纯锡焊接头。随着欧洲和亚洲开始执行无铅法规，强制执行那些满足严格要求的封装工艺(包括凸点材料)看来势在必行。

　　对于芯片设计工程师来说，至关重要的是与其SATS供应商一道，考察必须提供怎样的凸点工艺，并确定该凸点工艺是否提供满足各自设计要求的合适性能以及可靠性。

　　当设计工程师考虑利用CPB从线绑定封装向FC封装转移时，应该牢记以下关键特性：

　　* 依靠一种重新分布方法、小外形应用以及更佳的热电性能，CPB可用于针对线绑定的典型焊盘版图。

　　* CPB可以用一个凸点或针对大离板高度应用的较细间距，来替代多线绑定连接。

　　可选性和灵活性对凸点技术而言仍然是关键因素。在进行任何折衷前，都要仔细考虑包括环境、材料设置、性能、行业基础设施和价格在内的所有方面。