在Rambus公司与韩国芯片厂商海力士半导体(Hynix Semiconductor)之间的专利侵权案中，美国联邦联审团日前裁定前者将获得逾3.069亿美元的赔偿。 位于圣何塞的北加州地方联邦法院的一个陪审团目前同意了Rambus的指控，即Hynix侵犯了其有关DRAM基本技术的多项专利权。上述赔偿只涉及Hynix在2000年6月至2005年底期间向美国销售的SDRAM、DDR SDRAM和DDR2等内存产品，不包括任何判决前(pre-judgement)利息。判决前利息通常也是赔偿的一部分，需要审判法官的进一步考虑。 Rambus在审判期间曾要求Hynix赔偿1.085亿美元至8.68亿美元的损失。Rambus还要求法院发出永久禁止令，命令停止生产、使用或进口侵权的Hynix内存产品。这项命令可能在审判的第三阶段之后发出，Hynix将在该阶段可争辩Rambus的专利无效，因为后者利用反竞争的方式获得在内存产业中的地位。 预计上述裁决将使Rambus处于有利地位，以此在类似的案件中向三星电子、美光和南亚科技等公司施压。这项裁决还提高了Rambus争取内存产业中的制造商向其支付专利费的机会。至发稿时为止，Hynix尚未对上述裁决作出响应，但有关报导暗示它可能提出上诉。 美国内存芯片技术设计商Rambus于2005年1月提起专利侵权诉讼，控告的对象包括韩国的Hynix，德国的英飞凌，台湾地区的南亚科技和Inotera Memories。Rambus控告前述几家公司的DDR2内存设备，以及GDDR2和GDDR3图形内存设备，侵犯其多达18项的专利。