三星电子(Samsung Electronics)日前宣布，它已开发出一种芯片三维封装技术，基于其专利晶圆级堆叠工艺(WSP)。三星的WSP技术采用“Si贯通电极”(through silicon via)互连，实现了用于手机和其它产品的一系列小型混合式封装。

    该公司的第一款3D封装由一个16Gb内存解决方案组成，在同一个单元中堆叠了8个2Gb NAND芯片。三星表示，该技术是目前多芯片封装(MCP)尺寸更小的版本。三星的WSP原型样品垂直堆叠了8个50微米的2Gb NAND闪存裸片，高度为0.56毫米。

    初期，三星将在2007年初把其WSP技术用于生产面向移动应用和其它消费电子基于NAND的存储卡。随后，它将把这项封装技术用于高性能系统封装(SiP)解决方案，以及包括服务器DRAM模块在内的高容量DRAM堆叠封装。