三星电子公司日前宣布，将开始量产1Gb容量的OneNAND闪存，采用70纳米制造工艺。不到18个月之前，三星宣布开发出采用90纳米工艺的1Gb容量OneNAND闪存器件。OneNAND闪存最初设计用于手机的存储设备，该器件结合NOR闪存的高速读取数据功能和NAND闪存的数据存储密度。这种单芯片基于NAND闪存架构，集成了数据缓存和逻辑接口。 新的OneNAND内存面向移动手持设备，包括数码相机用的存储卡和磁盘驱动设备。三星表示，OneNAND闪存具有高达每秒108Mb的持续读取速度，以前的90纳米OneNAND器件持续写速度为每秒68Mb。在写速度方面为每秒9.3Mb，这与90纳米器件相同。 据称，这款70纳米的存储器已被设计用于超过100种移动产品，包括数码相机、机顶盒和数字电视。三星公司预测，2008年OneNAND的销售量将达到10亿美元，到2010年将超过15亿美元。