国际整流器公司 (IR)推出
IRDCSYN2参考设计，它使用IR1176专用同步整流集成电路。
新型IR1176器件的输出电压低至1.5V，可简化并改善电信及宽带网服务器的隔离式直流-直流变换器设计。IR1176配合IRF7822等直流-直流变换器专用HEXFET功率
MOSFET，可提高1.5V和1.8V直流-直流变换器的额定效率。
在40A电流48V输入环境下，1.8V直流-直流变换器的效率可达86%，1.5V的可达85%；同时控制栅驱动电路，大大减低变换器付边同步整流
MOSFET的功耗。
IR1176是一种用于驱动N沟道功率
MOSFET的高速CMOS控制器，能在输出电压等于或低于5V的大电流、高频正激变换器内作为同步整流器使用。
该控制器的施密特 (Schmitt) 触发器输出装置配备双脉冲抑制功能，在嘈杂环境下也能运作自如。电路无需连接原边组件，可直接从付边MOSFET启动。
该电路能预测变压器输出转换，继而在转换前，启动或关掉功率MOSFET，从而将漏极体二极管导通电阻降至最低，并降低相关损耗。开启或关断时机可以灵活调节，以适应各种功率MOSFET的尺寸及电路的条件要求。
IR1176还可通过外部组件，实现付边环路及器件封装电感零效应，从而提供栅驱动重叠或死区时间控制，进一步减低二极管导通电阻。
IRDCSYN2参考设计可根据特殊应用需要进行修改，形成最终产品设计，使电路开发时间缩短多达4周。
IRDCSYN2参考设计电路板的额定电压为3.3V直流，额定输出电流为20A，效率高达90%。该设计还配有全功能的同步整流电路，兼备所有元器件、印板图、应用说明及Gerber供应商文件。电路板体积为3.25 x 2.7 x 0.75英吋
