日本瑞萨科技将向半导体代工厂商台湾力晶半导体股份有限公司（Powerchip Semiconductor Corp.）提供AG-AND型闪存的制造技术及销售授权（发布资料）。自2005年上半年起，瑞萨科技已将AG-AND型闪存的量产部分委托给力晶公司。对于AG-AND型闪存的生产，将通过采取双公司生产体制，满足来自高速写入存储卡领域的需求。

　　具体来说，将提供授权的是采用130nm工艺生产的512Mbit和1Gbit产品。瑞萨科技由此将把生产重心转移到90nm工艺的4Gbit产品上。对于4Gbit产品的量产数量，该公司计划在2006年1月～3月把它提高到172万个。2005年10月～12月则为93万个。

　　瑞萨科技现已宣布停止开发8Gbit产品。此次授权仅涉及130nm产品，至于90nm工艺以后的产品，则不在授权之列。

                                                         (来源：日经BP社)