日本东芝公司和日本电气公司近日宣布，两家公司联合开发出了高速大容量的磁性随机存取存储器(MRAM)，其数据存取速度和存取容量两项指标同时刷新了世界纪录。 　　据当地媒体8日报道，新型MRAM的记忆容量为16兆比特，存取数据的速度达每秒200兆字节。另外，其电源|稳压器电压仅为1.8伏特，达到现有同类存储器的最低值，便于在小型移动电器上安装使用。
　　在传统的MRAM中，需要有电流驱动线路产生用于存储数据的磁场，但这种线路会影响到数据的读取，导致MRAM的整体速度难以提高。新型MRAM改良了线路构造，将存储电流和读取电流分开，实现了数据的高速存取。
　　MRAM具有即使被切断电源其中存储的数据也不会丢失、可无限次改写、存取速度快等优点，但与动态随机存取存储器(DRAM)相比，其明显缺点是记忆容量小。