DXI为2,605.46, 上涨8.62 (0.33%)

　　台湾市场：
　　今日的DRAM现货市场, 在价格相较于256Mb(32M*8)400MHz便宜的因素下, 512Mb(64*8)400MHz颗粒的需求依然强劲, 不过由于低价颗粒的现货供应量紧缩, 并未出现预期的交易量, 512Mb(64*8)400MHz颗粒价格也上涨了1.71%至USD3.92, 256Mb(32M*8)400MHz的价格也上涨了0.75%至USD2.025。 UTT(ETT)的部份, 空白模块依然延续昨日的强劲需求, 价格急速攀升,上涨了3.23%至USD1.92, 交易强况热络。

　　在NAND FLASH的部分, 在年底需求逐渐减少的因素下, 供应端价格持续调降, 交易量有限。主流品牌的1Gb/2Gb/4Gb/8Gb与16Gb的价格都分别调降至USD7.59/USD14.67/USD25.97/USD43.94与USD76, 16Gb下跌1.3% 为单日跌幅最高的颗粒。

　　香港市场：
　　NAND Flash部分：今天延续昨天下午时的状况，价格依然有所回调，交易一般。主要集中在HY 1Gb/4Gb和Samsung 4Gb的部分。 Samsung：4Gb/8Gb $26.00 、$40.80；HY 1Gb/2Gb/4Gb $7.20、$14.30、$25.70有听到成交。HY 1Gb/2Gb/4Gb/8Gb今天的价格大概在：$7.10-7.30、$14.30-14.50、$25.50-26.00、$41.50-41.80 Samsung1Gb/2Gb/4Gb/8Gb/16Gb今天的价格大概在: $7.60-7.75、$15.00-15.25、 $25.50-26.25、 $40.80-45.80、$73.50-74.00 Micron2Gb：$13.80-14.00。　　DRAM部分：DRAM今天交易不错， HY DDR 512Mb 64*8 400MHz和DDR 512Mb 32Mx16 400MHz分别以$3.76-3.80、$3.70的价格成交。SDRAM HY 256Mb 32M*8 133MHz $3.25 有成交。UTT因为Mira为稳定市场，控制给模组厂的出货量，再加上海外需求的影响，价格升到$1.90以上。
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
　　深圳市场：
　　NAND Flash部分：经过前两天的回升之后，从昨天下午开始价格向下回整，因为价格走跌，需求也受到一定的影响，成交有限，主要还是集中在小容量部分。Hynix 1 Gb ￥60；Micron2Gb￥117有听到成交。 Hynix 1 Gb/2Gb/4Gb:￥60 –61.5 ￥117-119.5 ￥212–218 Samsung 1 Gb/2Gb/4Gb/8Gb : ￥63.5-65 ￥123-128 ￥214-221 ￥340-383
　　DRAM部分：价格有所上扬，交易也有所转好，但长期看来应该还是供过于求。