安森美半导体(ON Semiconductor)近日推出业内首个异步双缘(dual-edge)脉冲宽度调制(PWM)控制器NCP5381。该控制器适用于快速瞬流响应和先进电源管理极为关键的应用，如奔腾4处理器主板、VRM模块和图形卡。

    安森美半导体模拟计算产品总监Michael Stapleton表示：“通过使用PC主板，安森美半导体推出了符合VR10和VR11性能的双缘PWM控制器NCP5381，可方便地集成到现有的主板设计中，帮助降低其Vcore核心电压电源管理子系统的总体成本。”

    电平增高和电流转换更快是长期发展趋势，CPU电源设计人员面临的主要挑战之一在于特定主板上的CPU电压必须保持稳定，而有源功率要求有波动。据介绍，NCP5381的设计使电源管理子系统响应用户激活高性能计算功能，对负载瞬流的响应明显比现有业内单缘、锁存、时钟或同步调制产品更快。这使得子系统的工作频率更低，与现有调制方法相比，保持电容更少、更小。

    NCP5381 PWM控制器的产品特性如下：
  1.双缘PWM对瞬变负载快速初始响应
  2.动态参考注入(Dynamic Reference Injection)
  3.+0.5%系统电压精确度
  4.符合VR11的远程温度检测
  5.与VR10逆向兼容
  6.“无损”差分电感电流检测

    安森美半导体高级副总裁兼模拟产品部总经理施礼贤(Larry Sims)说：“业内已广泛认为CPU功率控制——特别是Vcore核心电压功率控制——的下一步，将需要昂贵的数字控制系统以克服今天同步控制器架构的性能限制。”

    除NCP5381外，安森美半导体的CPU功率控制4相解决方案还包括四个独立12V NCP3418B MOSFET门极驱动器，用于同步降压。这些产品采用SOIC-8和DFN-10无铅封装。8个25V、单N沟道MOSFET也是双缘Vcore核心电压子系统解决方案的一部分，包括四个45A的NTD50N03R MOSFET和四个65A的NTD65N03R MOSFET。这些器件的RDS(ON)门极电荷以及逆向恢复电荷较小，而且使用无铅DPAK封装。一个驱动器和两个MOSFET用于驱动NCP5381的四个输出相位。

    NCP5381采用40引脚无铅QFN封装。现已提供样品，计划于2006年第一季度投入生产。