韩国现代宣布，该公司已成功开发出512Mb GDDR4 DRAM芯片。该公司预定自明年上半年开始量产，同时预定在明年下半年完成每秒14.4GB处理能力的GDDR4 DRAM开发计划。

　　现有的DRAM是由8个或16个PIN组成，而GDDR则系由32个PIN组成，较现行一般DRAM可以在同时间处理较多的数据。值得一提的为第四代GDDR4较现有之GDDR3之处理能力提升约达两倍。另在处理速度方面，GDDR4每一秒超过10GB，达11.6GB。

　　此现代公司的GDDR4是采低电力设计技术，使用电压为1.5V。