根据CNET报导，IBM与Advanced Micro Devices在International Electron Devices Meeting中联手发表了两篇报告，说明它们如何透过张力硅晶(strained silicon)技术来提高65纳米芯片的效能或降低耗电量；这两家公司已合作数年携手开发新世代半导体制造技术。基本上，AMD与IBM是将两个技术加入他们的制造程序中，将芯片中的silicon layers拉紧，如此可使silicon layers更为一致与坚固，电子能更迅速移动，如此设计的芯片将更具效能或可降低秏电量。其中一个技术为embedded silicon germanium，另外一个为stress memorization。AMD-IBM的straining技术能够降低40%的秏电量。
    这两家公司的前已将一个straining技术”dual-stress liners”加入绝缘体中，例如Opteron与Cell芯片都有包含这个技术。AMD过去曾透过该公司与AmberWave的合作关系而将strained silicon技术加入其芯片中，但后来该公司遭遇到制造上的问题，双方的合作也告终结。AMD表示，新的silicon germanium技术比之前技术使用的germanium少了很多，也更容易生产。该公司预定在2006年度下半年开始生产65纳米芯片；Intel与Texas Instruments已在今年底展开这类芯片的生产。
    Intel虽然并不支持silicon on insulator技术，但该公司已把germanium加入芯片中，另外也采用了类似dual-stress liners的技术。Intel已开始生产数款65纳米处理器，预定在明年初正式推出。该公司在IEDM会议中展示了四款65纳米双核心处理器die的照片，其中包括Yonah移动芯片与Cedarmill桌上型芯片。Intel 65纳米晶体管的效能比90纳米高出37%，其ring oscillator delay为4.25 picoseconds。Intel表示该公司并未如同AMD与IBM在PMOS晶体管加入compressive nitrde capping，该公司希望将其制程尽量简化以控制成本。AMD与IBM在65纳米制程上将加入嵌入式SiGe layer，类似Intel使用在90纳米制程上者。Intel与AMD-IBM这两方阵营何者将会胜出，或哪一个技术比较优异，目前尚无定论。