由中国科学院半导体所承担的国家＂973＂、＂863＂和中科院重大项目＂新一代镓铟氮砷长波长光电子材料与器件＂，于近日成功研制出工作波长1.58微米的镓铟氮砷锑／镓砷长波长（GaInNAsSb／GaAs）单量子阱边发射激光器，实现室温连续激射，其性能参数如阈值电流达到镓砷（GaAs）基1.2至1.6微米波段的同类激光器水平，超越国际同行1.5微米的研究结果。 
    
    该课题组研究人员在分子束外延生长高质量1.3微米量子阱材料的基础上，通过增加氮的并入量和采用镓氮砷（GaNAs）垒层，将量子阱的发光波长拓展到了1.55微米，同时运用锑元素作为生长过程中的表面活性剂，优化退火条件，大大改善了晶体质量，使材料质量达到了制作激光器的要求。此次研制成功的激光器采用脊形波导条形结构，实现了1.58微米室温连续激射。

    这是世界上首次实现镓氮砷（GaAs）基稀氮化合物半导体激光器1.5微米以上的室温激射，它证明了镓氮砷（GaAs）基器件在1.2至1.6微米波段的全面应用的可行性，为进一步实现在光通讯、光互联中应用的实用化和产业化展示了光明的前景。