继结合台湾地区四大内存厂商进行“新一代相变内存”技术研发之后，台湾工研院电子所宣布在动态随机存取存储器(DRAM)关键技术上取得突破，新发表的金属绝缘层金属(Metal-Insulator-Metal，MIM)电容结构，号称可为台湾DRAM厂商的新一代产品开发提供有利技术后盾。  

    电子所表示，目前的DRAM电容结构为金属绝缘层半导体(MIS)，其中的绝缘层在70纳米世代以下时，必须使用高介电常数(High-K)材料，才能使组件在较厚绝缘层之下仍能获得所需的电容密度，但此举也会导致绝缘层与半导体间，因能带差(Band off-set)较低而容易产生漏电流，因此其电极须使用半导体以外的材料(如金属)来增加能带差以避免漏电。  

    为解决此一因工艺微缩所产生的问题，对DRAM技术而言，最关键而有效的方法就是将高介电常数绝缘材料应用于绝缘层，并利用金属作为下电极材料来取代硅半导体，形成高介电常数的MIM电容结构，才能满足未来内存的需求。目前电子所开发的工艺已验证MIM结构之电容功能可行，也与台湾DRAM厂商共同进行产品化技术开发中。  

    电子所所长陈良基表示，目前世界各大内存厂均积极投入High-k MIM电容技术的研发，而台湾DRAM制造厂商也逐渐改变以往直接由海外引进技术的模式，转而以自行开发为保持技术优势的途径，对下一代核心技术的需求益加迫切。电子所投入MIM技术的开发，即是响应业界DRAM持续微小化的技术需求。