三星电子半导体业务部的总裁兼CEO黄昌圭(Chang-Gyu Hwang)日前表示，半导体产业正在进入“闪存爆发时代”(flash rush era)。在这个时代中，固态内存将促进和改变电子产品。  

    黄昌圭在三星电子的16Gb NAND闪存发布会上表示，半导体产业在把内存用于数据存储方面处于重要转折关头，NAND闪存的进步将导致需求增长和“闪存爆发时代”的来临，后者正在改变消费者和企业使用便携电脑及电子技术的方式。  

    三星电子的16Gb器件是目前业界密度最高的NAND闪存，它采用50纳米工艺制造，计划在2006年下半年投入批量生产，使用所谓的3D晶体管结构技术。每个新型芯片包含有164亿个晶体管，每个晶体管大小在1至2微米。目前闪存芯片制造使用的是80纳米技术。  

    黄昌圭在声明中表示：“利用含有多个16Gb闪存芯片的存储卡，你就能够把全部音乐和个人视频库放在一个小型便携产品之中。”在消费电子制造商考虑采用NAND的存储器件以改善新款产品的性能和功耗水平之际，16Gb存储器件可能成为微型硬盘的替代品。通过在一个单一的卡中组合多达16个这样的器件，制造商将能够生产出32Gb的存储卡。三星公司表示，一个这样的闪存卡可以存储200年每天40页对开的报纸，或者8,000首歌，或者32小时DVD质量电影。  

   “NAND的未来正在为数字终端产品的设计发生不可逆转的转变奠定基础，因为NAND实际上成了任何便携产品的关键存储媒体。”Hwang把面向数据存储应用的NAND技术不断增长的重要性与1849年的淘金热相提并论，后者几乎在一夜之间在全球永久地改变了黄金的价值和重要性。  

   “NAND闪存最终将取代其它存储媒体，特别是那些用于移动产品中的存储媒体，掀起一波‘闪存热’，成为移动电子时代的支柱，NAND需求继续以前所未有的速度急剧增长。”  

    三星表示，16Gb闪存的面世，将进一步推动NAND在便携数字应用中成为主要存储媒体。当三星在2002年预言存储媒体将发生转变时，市场调研公司预测2005年NAND闪存销售额将达17亿美元左右。三星表示，目前预计今年全球NAND闪存销售额将高达94亿美元。