Mosaid为联电90nm工艺提供内存控制器SIP方案
台湾联华电子(UMC)与加拿大Mosaid Technologies公司日前共同宣布，两家公司将针对联电的90纳米与130纳米工艺共同开发综合的DDR/DDR2 SDRAM内存控制器SIP解决方案。
Mosaid公司为联电先进工艺所开发的这项综合内存控制器解决方案，是由高性能SSTL I/O设计单元数据库、DLL硬式SIP组件以及控制器RTL软式SIP组成。这项解决方案可同时支持SSTL2信号的DDR SDRAM与SSTL18信号的DDR2 SDRAM。
联华电子IP研发及设计支持部部长刘康懋表示：“联华电子充分认同DDR内存在如今半导体业的应用当中，所扮演的重要角色。Mosaid公司是提供DDR解决方案的IP供应商，联华电子十分乐意能与Mosaid公司合作，将他们的内存控制器IP新增至联华电子90纳米与130纳米制程的IP群中，使客户得以运用在他们的系统级芯片设计上。”
“我们与联华电子的合作，将会使MOSAID的内存控制器IP更广泛地为联华电子130纳米及90纳米工艺客户所使用，”Mosaid公司IP部副总裁兼总经理Peter Gillingham表示，“随着标准DDR与DDR2 SDRAM内存组件的速度加快，MOSAID公司与联华电子共同发展内存控制器的益处，例如降低设计成本与风险以及加速上市时程，将会变得更具说服力。
