Micron推出2Gb DDR2 DRAM用于组成8GB存储模块
美光(Micron)公司推出2Gb双数据速率(DDR2)存储器元件——MT47H512M4HG，用于组成8GB大容量存储器模块,以比现有元件更小的空间和功耗为每个服务器提供更多的存储器容量。
MT47H512M4HG 2Gb DDR2元件样品为用户提供了先进存储器解决方案。以前，Micron公司曾推出用于所有主要x86服务器平台的1Gb DDR2和1Gb DDR器件，以及VLP注册双列直插存储器模块(RDIMM)——110nm 1Gb DDR、1Gb DDR2、4Gb DDR RDIMM以及4GB DDR2 RDIMM。
MT47H512M4HG 2Gb DDR2的数据速率为533Mbps，每引脚带宽为400Mbps，对于64位系统则为3200MBps和4300MBps，具有芯片内终止(ODT)功能。可选择片外驱动器(OCD)输出阻抗校准。
该器件采用无铅FBGA封装，2005年下半年可提供工程样品。批量生产将在2006年第四季度。
